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三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代
IT之家4月1日消息，据外媒SemiconductorEngineering报道，三星电子在行业会议Memcon2024上表示计划于2025年后在业界率先进入3DDRAM内存时代。DRAM内存行业将于本十年后期将线宽压缩至10nm以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括3DDRAM在内的多种创新型内存设计。▲图源 SemiconductorEngine
阅读更多Echo 2024.04.01 11:06 72浏览 0回复
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SK 海力士：HBM 今年销售额将占整体内存逾一成，明年供应继续紧张
IT之家3月28日消息，SK海力士CEO郭鲁正在昨日举行的年度股东大会上表示，今年HBM在整体DRAM内存的销售占比将达到两位数，明年供应情况依旧紧张。在回答股东为何SK海力士在AI爆火、HBM热销的去年仍出现9万亿韩元（IT之家备注：当前约482.4亿元人民币）净亏损的提问时，郭鲁正表示这是因为占销售额绝大部分的常规DRAM产品价格下滑，而HBM虽然火爆但去年销售额占比仅有个位数。除了HBM的占
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三星提振 DRAM 业务，Omdia 预估今年下半年产能恢复到 2023 年前水平
IT之家3月16日消息，市场调查机构Omdia近日发布预估报道，认为三星的DRAM 产能有望在2024年下半年恢复到2023年前的水平。三星DRAM业务在2023年遭遇滑铁卢，前三个季度分别出现了超过4.58万亿、4.36万亿和3万亿韩元的亏损，第4季度亏损进一步收窄，2023年全年利润率下降了95%。Omdia预估2024年上半年，三星的晶圆产量累计约为157.5万片，占去年同期210
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新一代移动端 DRAM 内存规范 LPDDR6 有望今年 3 季度公布
IT之家3月11日消息，据韩媒etnews报道，新一代移动端DRAM内存规范LPDDR6有望今年3季度公布。业内人士透露，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会近日在葡萄牙首都里斯本召开了下一代移动端随机存取处理器标准咨询会。此次会议中，与会各方进行了丰富的讨论，完成了LPDDR6标准的定稿工作，预计将于今年3季度正式发布。目前广泛使用的LPDDR5规范发布于2019年。而升级版LPDDR5X规范
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消息称 SK 海力士今年将增 8 台 EUV 光刻机，推动 DRAM 内存产品技术演进
感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家2月27日消息，韩媒etnews近日报道称SK海力士将于今年引入8台EUV光刻机，推动DRAM内存产品的技术演进。SK海力士现有5台光刻机。到今年末，若加上韩媒报道中称的8台，其拥有的EUV光刻机总数将达13台，较年初翻倍有余，大幅提升EUV曝光能力。SK海力士于第四代10纳米级制程——1anm制程中首次引入EUV光刻，当时仅在1个步骤中使用；而来到目前
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内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌
IT之家2月22日消息，存储网络行业协会（SNIA）多位专家近日预估，21世纪20年代末将会掀起持久内存（PMEM）变革浪潮，相信新技术将取代DRAM等成熟的存储技术。IT之家注：持久内存作为一个内存和外存的混合体，其高速持久化的特性在某些磁盘IO作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。SNIA的ArthurSainio、TomCoughlin和JimHandy专家表示，以SK海力士和美光研制的铪铁
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1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料
IT之家2月3日消息，根据韩媒TheElec的报道，DRAM内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是1cnm工艺引入更多新技术。IT之家注：1cnm世代即第六个10+nm世代，美光也称之为1γnm工艺。目前最先进的内存为1bnm世代，三星称其1bnm为12nm级工艺。分析机构TechInsights高级副总裁ChoiJeong-dong在近日的一场研讨会上表示，美光将在1cnm节点率先引入钼
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三星电子在硅谷设立新实验室，负责下一代 3D DRAM 内存研发
IT之家1月28日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM产品，以帮助三星继续引领全球3DDRAM市场。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32GbDDR5DRAM芯片，采用12nm级工艺打
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消息称长鑫存储开始量产 18.5 纳米 DRAM，初期月产 10 万片晶圆
IT之家1月26日消息，根据DigiTimes报道，长鑫存储（CXMT）专注于DRAM存储，长江存储（YMTC）专注于NAND闪存，采用不同的战略加快了发展步伐。图源：长鑫存储消息称长鑫存储位于合肥的新工厂已经开始批量生产18.5纳米工艺的DRAM芯片，合肥工厂一期已接近满负荷生产，月产量达到100000片晶圆。即将进行的二期扩建将在2024年底前完成，每月增加40000片晶圆，让长鑫存储的DRA
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TrendForce 预测 DRAM 与 NAND Flash 今年一季度涨价 18%
IT之家1月21日消息，TrendForce研究显示，今年第一季度已然成为增长季，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NANDFlash则是18~23%。分析师指出，虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，预计DRAM、NANDFlash第二季合约价季涨幅收敛至3~8%。不过，在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。参考IT之家此前报道，DRAM产品
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消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM，达到 10nm 工艺级别
IT之家1月16日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK海力士计划在2024年之前，完成对无锡C2工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram工艺，达到10nm工艺级别。IT之家注：无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占SKhynixD-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧（传统）产品线。消息称SK海力士会在无锡工厂完成第四代D-R
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集邦咨询预估 2024Q1 合约价环比增长 13-18%
IT之家1月9日消息，集邦咨询近日发布报告，预估2024年第1季度全球DRAM合约价格环比增长13-18%，其中MobileDRAM持续领涨。集邦咨询报道称原厂认为2024全年需求展望仍不明朗，仍有必要持续性减产，以维持存储器产业的供需平衡。IT之家附上各项DRAM方面情况如下：PCDRAM 方面：由于DDR5订单需求尚未被满足，同时买方预期DDR4价格会持续上涨，带动买方拉货动能延续，
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消息称三星和美光第 1 季度 DRAM 价格已上调 15%-20%
IT之家1月3日消息，全球存储巨头持续减产，加上人工智能和高性能计算应用的兴起，以及智能手机市场的库存补充等诸多因素影响，推动了存储产品价格的持续上涨。根据集邦咨询报道，有消息称三星和美光计划2024年第1季度提高DRAM价格，增幅在15%至20%区间。由于人工智能和高性能计算的应用日益广泛，加上智能手机和个人电脑市场逐渐复苏，市场预计2024年DRAM供应紧张。业内人士表示，目前第1季度的合同价
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集邦咨询称 2023Q3 全球 DRAM 规模 134.8 亿美元，环比增长 18%
IT之家12月5日消息，根据市场调查机构集邦咨询公布的最新报告，2023年第3季度全球DRAM产业规模合计营收134.8亿美元，环比增长18.0%。集邦咨询表示由于下半年需求缓步回温，买方重启备货动能，让各原厂营收皆有所增长。展望今年第4季度，供给方面，原厂涨价态度明确，预估第四季DRAM合约价上涨约13~18%；需求方面的回温程度则不如过往旺季，整体而言，DRAM行业出货增长幅度有限。三家主流厂
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三季度全球 DRAM 销售额达 132.4 亿美元，连续两个季度环比增长
11月30日消息，据外媒报道，从去年下半年开始，受消费电子产品需求下滑影响，全球存储芯片的需求也明显下滑，三星电子、SK海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下，DRAM这一类存储产品的价格已在回升，销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示，在今年三季度，全球DRAM的销售额达到了132.4亿美元，环比增长19.2%，在一季度的93.7亿美元之后，已连续两个
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SK 海力士 DRAM 市场占用率已达 35%，为该公司有史以来最高水平
感谢IT之家网友OC_Formula的线索投递！IT之家11月26日消息，随着HBM内存在人工智能时代的重要性不断增加，DRAM行业已开始逐渐朝着以质量为中心的赢家通吃的格局转变。市场研究公司Omdia的最新分析显示，SK海力士今年第三季度的DRAM市场占有率已达 35%。Omdia高级分析师JungSung-kong表示，由于生成式人工智能的影响，AI服务器的比例正在增加，预计中长期内
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集邦咨询称第 4 季度 DRAM 合约价上涨，预估环比增长 3~8%
IT之家10月14日消息，集邦咨询近日发布报告，表示自今年第4季度开始，DRAM和NANDFlash均价开始全面上涨，预估合约价格环比增长3-8%。在PCDRAM方面，由于DDR5均价已在第3季度上涨，配合新CPU机种的备货，预期将持续带动DDR5需求上升。集邦咨询预估今年第4季度DDR4价格环比增长0~5%；DDR5价格环比增长约3~8%，预估PCDRAM合约价格环比增长3~8%。服务器DRAM
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1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕
IT之家10月10日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等DRAM巨头正积极备战1γDRAM技术。图源：SK海力士DRAM目前全球最先进的DRAM工艺发展到了第五代，美光将其称为1βDRAM，而三星将其称为1bDRAM。美光于去年10月开始量产1βDRAM，不过研发的目标是在2025年量产1γDRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外(EUV)
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三星电子：客户库存调整接近完成，明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺
IT之家10月8日消息，据DigiTimes，三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，半导体行业将从2024年起全面反弹。三星预计从2024年开始将会有部分地区的DRAM和NANDFlash供应出现短缺。图源Pexels一位三星高管提到，大量半导体公司已经逐步完成库存调整，预计NAND业务的亏损将大幅减少。证券业人士表示，考虑到库存逐步稳定
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集邦咨询：2023Q4 NAND 价格预估增长 3-8%，DRAM 要开启增长周期
IT之家9月27日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了DRAM市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估NANDFlash价格回暖之后，DRAM价格也会上涨。NAND闪存供应商为减少亏损，2023年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称8月NANDFlash芯片合约价格出现反弹，9月继续上涨。行业巨头三星继
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