标签文章：#sk海力士#
-
韩国科技巨头 SK Inc. 董事长达成 1.38 万亿韩元离婚协议，股价一度飙升 16%
IT之家5月30日消息，韩国最大财阀之一SKInc.集团董事长CheyTae-won因离婚案被法院判决向妻子RohSoh-yeong支付1.38万亿韩元（IT之家备注：当前约73.14亿元人民币）。消息一出，SK集团的股价一度飙升16%。此前据韩国当地媒体报道，Roh曾要求获得约2万亿韩元以及Chey在SK集团的部分股份。最终的判决金额低于预期，或许可以解释为何SK集团股价会出现如此大幅度的上涨。
阅读更多Echo 2024.05.30 18:09 24浏览 0回复
-
三星多年努力被“摘果子”，消息称 SK 海力士 HBM 团队主力来自三星
IT之家5月29日消息，根据科技媒体TechNews报道，SK海力士的HBM团队主力成员来自三星，又恰好迎上生成式AI浪潮，因此团队抓住机遇让SK海力士成为HBM行业龙头。报道称三星很早就看好HBM未来发展，英伟达合作开发HBM和HBM2，只是前期销量并不大，持续处于亏损状态。三星的HBM团队随后换了新东家，转入SK海力士继续研发。而在生成式AI浪潮下HBM需求急剧增加，SK海力士从中受益成为行业
阅读更多 -
韩国政府斥资 26 万亿韩元扶持芯片产业，三星、SK 海力士成受益者
IT之家5月23日消息，据彭博社报道，韩国政府宣布了总计26万亿韩元（IT之家备注：当前约1380.6亿元人民币）的芯片支持计划，以帮助三星电子和SK海力士等韩国企业在日益激烈的竞争中保持领先地位。图源Pexels这项总计26万亿韩元的计划是韩国财政部长ChoiSang-mok两周前提出的10万亿韩元计划的金额的两倍多，其中包括17万亿韩元对特定投资的财政支持以及税收优惠，将延长今年年底到期的半导
阅读更多 -
SK 海力士：HBM3E 内存良率已接近 80%，生产效率也已翻倍，
IT之家5月23日消息，SK海力士产量主管KwonJae-soon近日向英国《金融时报》表示，该企业的HBM3E内存良率已接近80%。相较传统内存产品，HBM的制造过程涉及在DRAM层间建立TSV（IT之家注：ThroughSiliconVia）硅通孔和多次的芯片键合，复杂程度直线上升。一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废。▲ HBM内存结构示意图。图源SK海力士因此HBM内
阅读更多 -
消息称 SK 海力士将为特斯拉代工生产电源管理芯片
感谢IT之家网友乌蝇哥的左手的线索投递！IT之家5月16日消息，韩国每日经济新闻报道称，SK海力士代工部门启方半导体（SKKeyFoundry）将于今年下半年开始为特斯拉生产电源管理（PMIC）芯片。▲图源：SKKeyFoundry业内人士表示，SK启方半导体计划最早于7月在忠清北道清州工厂的8英寸晶圆厂生产电源管理芯片，并安装在特斯拉电动汽车上。除了特斯拉之外，SK 启方半导体还在汽车
阅读更多 -
SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
IT之家5月14日消息，据韩媒Hankyung报道，两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM，HBM内存坐拥更高单价，不过由于TSV工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅H
阅读更多 -
SK 海力士 HBM4E 内存有望采用 1c nm 32Gb DRAM 裸片，进一步提升容量
IT之家5月14日消息，SK海力士在2024年度IEEEIMW国际存储研讨会上不仅分享了HBM4E内存开发周期将缩短到一年的预期，也介绍了该内存的更多细节。SK海力士技术人员KimKwiWook表示，这家企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存。▲ SK海力士HBM3E内存背面图事实上，三大内存厂商目前均尚未量产1cnm（第六代10+nm级）制程的DRAM内存颗粒
阅读更多 -
消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存，带动市场价格上行
IT之家5月13日消息，据台媒《经济日报》报道，SK海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应DDR3内存，带动近期DDR3DRAM价格上涨，最高涨幅达两成。DDR3目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子已向客户通知本季度末停止供应DDR3；而SK海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了DDR3的制造。另一家DRAM内存大
阅读更多 -
消息称 SK 海力士系统集成电路拟向中企转让无锡晶圆厂 49.9% 股权
感谢IT之家网友Diixx的线索投递！IT之家5月9日消息，据韩联社报道，SK海力士子公司SK海力士系统集成电路拟向无锡产业发展集团有限公司转让所持有的SK海力士系统集成电路（无锡）有限公司（下文简称无锡晶圆厂）49.9%股权。SK海力士系统集成电路于2018年从母公司独立，主要从事8英寸晶圆成熟制程代工业务，产品覆盖车用PMIC、电视DDI等类别。无锡产业发展集团有限公司是由无锡市人民政府成立的
阅读更多 -
消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备，有望简化闪存生产
IT之家5月7日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士正向东京电子（TEL）发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来NAND闪存生产中导入。目前，提升堆叠层数是提升单颗3DNAND闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。厂商不得不考虑将整体NAND闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过
阅读更多 -
SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品
IT之家5月6日消息，据韩媒TheElec和《首尔经济新闻》报道，SK海力士在5月2日举行的“AI时代，SK海力士蓝图和战略”记者招待会上表示，其HBM4内存的量产时间已提前到2025年。具体来说，SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士上月同台积电达成HBM基础裸片（BaseDie）合作谅解备忘录，当时定于2
阅读更多 -
供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%，下半年涨幅将趋缓
感谢IT之家网友海绵宝宝捡的、gggxbbb的线索投递！IT之家5月5日消息，据“华尔街见闻”今日引述供应链消息，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，据称均有15%-20%的提价。供应链人士表示，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。据IT之家上月报道，SK海力士曾在今年一季度财报电话会议上表示
阅读更多 -
SK 海力士 CEO 郭鲁正：AI 存储芯片订单爆满，2025 年 HBM 产能基本售罄
感谢IT之家网友Hi_World的线索投递！IT之家5月2日消息，SK海力士今日在韩国京畿道利川总部举行了一场以“AI时代，SK海力士蓝图和战略”为主题的国内外记者招待会，并公布了面向AI的存储器技术力及市场现状、韩国清州、龙仁、美国等未来主要生产据点相关的投资计划。SK海力士CEO郭鲁正表示，虽然目前AI需求以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧AI领域。因此，专门用于A
阅读更多 -
消息称 SK 海力士拟新建 DRAM 工厂，对在海外其他地区建厂持开放态度
IT之家4月29日消息，据《首尔经济日报》今日引述业内人士消息称，除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。▲图源SK海力士，下同据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃
阅读更多 -
跟随三星、美光步伐，SK 海力士将在年内推出 1bnm 32Gb DDR5 内存颗粒
IT之家4月25日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士在今日的2024年一季度财报电话会议上表示将在年内推出1bnm32GbDDR5内存颗粒。32Gb颗粒意味着消费级的UDIMM和SODIMM可实现64GB单条容量；企业级的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工艺3D堆叠的情况下，达到单模组128GB，满足服务器对大内存的需求。SK海力士于2023年5月宣布完成其1bnm内存的开发。该制程采用了H
阅读更多 -
SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成，下半年整体内存供应可能面临不足
IT之家4月25日消息，据韩媒Viva100报道，SK海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。目前三星电子已发布其12HiHBM3E产品，该内存单堆栈容量达36GB，目前已开始向客户出样，预计下半年大规模量产。SK海力士表示，今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E
阅读更多 -
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
IT之家4月23日消息，韩媒TheElec在报道中表示，预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片（BaseDie）部分采用台积电7nm制程。IT之家注：目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签署了HBM内存合作谅解备忘录，双方的首个合作重点就
阅读更多 -
消息称铠侠与西部数据重启合并计划，SK 海力士仍持反对态度
IT之家4月23日消息，根据读卖新闻近日报道，日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）正重启和西部数据（WD）的合并计划，但SK海力士目前仍持反对态度。报道称铠侠的主要股东美国投资基金贝恩资本（BainCapital）已向其债权银行转达了上市审查，计划最快今年10月在东京证券交易所上市。消息称债权银行已向铠侠提供了超过1万亿日元（IT之家备注：当前约468亿元人民币）的贷款。铠侠去年第2-4季度共
阅读更多 -
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
IT之家4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后，一般以1+字母的形式称呼内存世代，1cnm即对应美光的1-gammanm表述，为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示，其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产；而近日据
阅读更多 -
SK 海力士计划振兴旗下原英特尔 NAND 固态硬盘业务 Solidigm，但内部信心不足
IT之家4月9日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士计划振兴旗下子公司Solidigm，但除一系列外部挑战外还面临内部信心不足的问题。SK海力士于2021年以70亿美元（当前约506.8亿元人民币）完成了收购原英特尔NAND闪存和固态硬盘部门的第一阶段收购，并将这部分业务命名为Solidigm。然而Solidigm自诞生起就面临着低迷的NAND闪存行情，至今已遭遇7万亿韩元（IT之家备注：当前
阅读更多