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Counterpoint Research：三星电视 Q1 领跑全球市场，海信、TCL 紧随其后
感谢IT之家网友Diixx的线索投递！IT之家5月17日消息，市场调研机构CounterpointResearch今日发布的数据显示，今年第一季度全球电视市场持续低迷，但三星电子出货量和销售额市占率均居全球第一。具体来看，第一季度全球电视市场出货量同比减少4%。三星电子以16%的市占率排名第一，海信（10%）、TCL（10%）分列其后。IT之家注意到，LG电子以9%排在第四，但在OLED电视市场份
阅读更多Echo 2024.05.17 17:26 37浏览 0回复
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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
IT之家5月17日消息，韩媒ZDNetKorea今日报道称，三星电子考虑在HBM4内存上使用1cnm制程（第六代10+nm级）DRAM裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。三星电子代表今年早些时候在行业会议Memcon2024上表示，该企业计划在今年底前实现1cnm制程的量产；而在HBM4方面，三星电子预计在明年完成该新型AI内存的开发，2026年实现量产。在目前已量产的HBM3E上，三星并未像
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SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
IT之家5月14日消息，据韩媒Hankyung报道，两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM，HBM内存坐拥更高单价，不过由于TSV工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅H
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消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存，带动市场价格上行
IT之家5月13日消息，据台媒《经济日报》报道，SK海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应DDR3内存，带动近期DDR3DRAM价格上涨，最高涨幅达两成。DDR3目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子已向客户通知本季度末停止供应DDR3；而SK海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了DDR3的制造。另一家DRAM内存大
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消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化，新团队专责 HBM4 开发
IT之家5月10日消息，据韩媒TheElec报道，三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造，以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言，由现有DRAM设计团队负责HBM3E内存的后续研发工作，而三月成立的HBM产能质量提升团队则专注开发下一代HBM内存——HBM4。新设立的HBM专门开发团队由三星电子DRAM开发副总裁HwangSang-joon负责，直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即将原型试产，有望基于 4nm 工艺
IT之家5月10日消息，韩媒ZDNetKorea援引业内人士的话称，三星电子的AI推理芯片Mach-1即将以MPW（多项目晶圆）的方式进行原型试产，有望基于三星自家的4nm工艺。这位业内人士还表示，不排除Mach-1采用5nm工艺的可能。三星已为Mach-1定下了时间表：今年下半年量产、今年底交付芯片、明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。同时三星也已获得了Naver至高1万亿韩元（IT之家备注：
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消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队，目标重建优势
IT之家5月9日消息，韩媒Sedaily援引行业消息人士的话称，三星电子近日决定组建1dnmDRAM内存的技术开发团队。目前DRAM内存行业的最新制程是10+nm系列的第五代工艺，即1bnm；三大内存厂商——三星电子、SK海力士和美光的下一代DRAM工艺1cnm将于今年三季度至明年投入量产；而1dnm工艺又在1cnm之后，预计量产时间晚于2026年。三星电子在开发每代DRAM工艺时，一般直到接近量
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三星 GAA 工艺高性能移动 SoC 成功生产流片，采用新思科技 EDA 套件
IT之家 5月6日消息，Synopsys 新思科技近日宣布，三星电子成功采用新思科技的Synopsys.aiEDA套件，完成基于GAA晶体管结构（3nm及以下制程）的“高性能移动SoC”生产流片。新思科技表示，三星电子的这颗SoC包含了“旗舰”CPU和GPU，具有生成式AI功能。新思科技宣称其“全栈AI驱动”的Synopsys.aiEDA套件针对高性能CPU进行优化，为三星GA
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三星电子：4nm 节点良率趋于稳定，二季度开始量产 HBM3E 12H 内存
IT之家4月30日消息，三星电子在今日公布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望，IT之家整理如下：系统LSI三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟，但晶圆厂的运营效率有一定提升。技术方面，三星称其3nm和2nm节点技术发展顺利，将在本季度完成2nm设计基础设施的开发；而在4nm节点方面，良率渐趋稳定。三星正就适用于3DIC的4nm技术进行准本，同时计划开发适用于14nm、8nm
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三星电子 Q1 营业利润 6.6 万亿韩元同比大增 931.87%，芯片业务扭亏为盈
感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家4月30日消息，三星电子今日披露了第一季度财报数据：按合并财务报表口径计算的公司今年第一季度营业利润为6.606万亿韩元（IT之家备注：当前约347.48亿元人民币），同比增长931.87%。本季度，三星电子销售额达71.9156万亿韩元（当前约3782.76亿元人民币），同比增长12.82%，同时净利润也猛增329%至6.75万亿韩元（当前约355.0
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三星电子会长李在镕访问蔡司总部，深化 EUV 光刻和先进半导体设备合作
IT之家4月29日消息，据三星官方新闻稿，三星电子会长李在镕于当地时间26日访问蔡司位于德国奥伯科亨的总部，并于蔡司CEO卡尔・兰普雷希特等就加强两家公司的合作进行了讨论。▲李在镕（中）、兰普雷希特（左）与蔡司半导体制造技术部门CEO安德烈亚斯・佩歇尔（右）在蔡司总部外合影留念。图源三星新闻稿，下同蔡司是ASMLEUV光刻机光学系统的独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件，蔡
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消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合，最早 2026 年推出 3D 移动处理器
IT之家4月24日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早2026年推出采用3D封装的2nm移动端处理器。IT之家注：混合键合技术是一种无凸块（焊球）的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术，混合键合可降低上下层芯片间距，提升芯片之间的电信号传输性能，增加IO通道数量。混合键合已在3DNAND闪存中使用，未来即将用于HBM4内存。新项目将是三星首次尝试在
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消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化，整体产线利用率达九成
感谢IT之家网友Diixx、咩咩洋的线索投递！IT之家4月22日消息，据韩媒ETNews报道，业内人士称三星电子近期已将NAND产能利用率提升至90%，相较一季度的80%进一步提升。IT之家注：对于三星电子的NAND业务，韩媒中ETNews和TheElec持较为乐观的态度，后者3月表示西安厂开工率已达70%；而《朝鲜日报》更为消极，认为三星继续在维持减产50%策略。▲ 三星电子第8代V-
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消息称三星电子在硅谷开设先进处理器实验室，聚焦 RISC-V IP 开发
IT之家4月19日消息，据韩媒Sedaily报道，三星电子通过旗下三星综合研究院（SAIT，SamsungAdvancedInstituteofTechnology）在美国硅谷开设了面向人工智能芯片设计的先进处理器实验室。该实验室将专注于RISC-V架构处理器IP的设计工作，最终目标是打造基于RISC-V架构的自研人工智能芯片，打破英伟达在人工智能芯片领域的霸权。三星电子目前的大部分处理器产品均基
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三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产，将推整体 HBM 定制服务
IT之家4月19日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示，其前不久成功采用TC-NCF键合工艺推出了12层堆叠的36GBHB
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消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
IT之家4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子方面曾考虑在美国建设先进DRAM内存晶圆厂，但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美国至多64亿美元（IT之家备注：当前约464亿元人民币）补贴，在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。报道称，三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRA
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三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
IT之家4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps速率的LPDDR5XDRAM内存。参考IT之家以往报道，目前其他厂商的LPDDR5XDRAM内存最高速率为9.6Gbps。三星表示，这款10.7GbpsLPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容
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三星电子联席 CEO 庆桂显访问多家台企，加强 AI 内存、服务器合作
感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家4月16日消息，综合台媒《经济日报》和DIGITIMES报道，三星电子联席CEO、DS部门负责人庆桂显（KyeHyunKyung）近日访问台湾地区，同台积电、广达、纬创就AI方面的合作交流。广达旗下服务器企业云达（QCT）就此发布了领英动态，欢迎庆桂显的到访。消息称庆桂显此行还参观了云达与英特尔合作打造的5GOpenLab，由广达高层亲自接待。据悉，庆桂
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消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%，年内维持约 50% 规模上限
IT之家4月16日消息，据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子本季度在韩国平泽和中国西安NAND生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对进一步的增产持谨慎态度，以免影响到NAND价格的涨势。在马力全开的情况下，三星电子NAND闪存生产线季度晶圆投片量可超200万片。而目前三星内部对二至四季度的晶圆投片量均设下了120万片的红线，这意味着整体产能利用率维持在50%左右。▲图源三星官网报道预
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三星电子获美国至多 64 亿美元补贴，将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂
感谢IT之家网友西窗旧事、华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月15日消息，美国政府今日宣布将向三星电子提供至多价值64亿美元（IT之家备注：当前约464.64亿元人民币）的补贴，而三星电子将在得克萨斯州投资超过400亿美元，建设包括2nm晶圆厂在内的一系列半导体项目。与台积电一样，三星电子此次同美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群，包括：在泰
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