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跟随三星、美光步伐，SK 海力士将在年内推出 1bnm 32Gb DDR5 内存颗粒
IT之家4月25日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士在今日的2024年一季度财报电话会议上表示将在年内推出1bnm32GbDDR5内存颗粒。32Gb颗粒意味着消费级的UDIMM和SODIMM可实现64GB单条容量；企业级的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工艺3D堆叠的情况下，达到单模组128GB，满足服务器对大内存的需求。SK海力士于2023年5月宣布完成其1bnm内存的开发。该制程采用了H
阅读更多Echo 2024.04.25 14:02 32浏览 0回复
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SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成，下半年整体内存供应可能面临不足
IT之家4月25日消息，据韩媒Viva100报道，SK海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。目前三星电子已发布其12HiHBM3E产品，该内存单堆栈容量达36GB，目前已开始向客户出样，预计下半年大规模量产。SK海力士表示，今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E
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美光 LPCAMM2 内存模组实拍：16GB LPDDR5X-7500 规格、用户可更换
IT之家4月24日消息，机械革命产品经理 @来听听阿璞怎么说今日展示了美光LPCAMM2内存模组样品的实拍图，并与常规的DDR5SO-DIMM内存模组作出对比。标签信息显示这是一块来自美光的16GB1Rx16LPDDR5X-7500内存。IT之家此前报道，美光英睿达LPCAMM2内存将于今年上半年推出，笔记本电脑用户可自行升级，容量从16GB到64GB不等。▲ 联想
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消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
IT之家4月23日消息，韩媒TheElec在报道中表示，预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片（BaseDie）部分采用台积电7nm制程。IT之家注：目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签署了HBM内存合作谅解备忘录，双方的首个合作重点就
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三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产，将推整体 HBM 定制服务
IT之家4月19日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示，其前不久成功采用TC-NCF键合工艺推出了12层堆叠的36GBHB
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美光有望获美国 61 亿美元芯片补贴，预计下周揭晓
IT之家4月18日消息，据美联社报道，美国参议院多数党领袖查克・舒默（ChuckSchumer）表示，美国政府将根据《芯片法案》向美光提供61亿美元（IT之家备注：当前约441.64亿元人民币）的补贴。消息人士向彭博社透露，美国总统计划于下周前往纽约州锡拉丘兹地区，正式宣布向美光的补贴计划。除直接资金支持外，美光有望同英特尔和台积电一样，根据法案获得一笔贷款。美光在2022年宣布，拟于未来20年投
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消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
IT之家4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子方面曾考虑在美国建设先进DRAM内存晶圆厂，但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美国至多64亿美元（IT之家备注：当前约464亿元人民币）补贴，在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。报道称，三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRA
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三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
IT之家4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps速率的LPDDR5XDRAM内存。参考IT之家以往报道，目前其他厂商的LPDDR5XDRAM内存最高速率为9.6Gbps。三星表示，这款10.7GbpsLPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容
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美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，美光于10日向美国证券交易委员会SEC递交8-K重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度DRAM内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据TrendForce集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性
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海盗船推出其首款面向工作站的 DDR5 RDIMM 内存，可选 6400CL32
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，海盗船宣布进军工作站DDR5内存市场，推出WSDDR5ECCRDIMM系列内存。该系列内存以每份4或8根的套条形式提供，兼容英特尔至强W-3400/2400系列和AMD锐龙Threadripper7000(PRO)系列处理器，套条总容量最大256GB（8*32GB）。海盗船表示，该系列内存经过了严格的测试挑选，在适应严苛工作负载的前提下
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全何科技推出 DDR5 8600 内存，时序 40-54-54-132-186
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月11日消息，全何科技（V-COLOR） 宣布推出新款DDR58600内存，将于6月中旬开始发售。这款内存采用SK海力士M-die，需要通过IntelXMP3.0配置文件才能实现 8600MT/s的速度， 1.45V电压，时序40-54-54-132-186，目前已经在两块华擎主板上得到验证。官方表示，8600MT/s的
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TrendForce：台湾地区地震对二季度 DRAM 内存出货量影响不足 1%
IT之家4月11日消息，据TrendForce集邦咨询昨日研报，近日的台湾地区地震对第二季度总DRAM位元产出影响不足1%。目前主要有四家内存厂商在台湾地区设有生产据点，即美光、南亚科技、力积电、华邦电子。研报表示这四家企业在震后均出现了一定数量需要检查或报废的晶圆。▲ 图源TrendForce集邦咨询不过这些厂区本身设备均有一定的抗震能力，对震后产能影响较小，均已大致恢复100%的产线
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用户反馈内存 RGB 灯条导致显卡背板出现“烧痕”
IT之家4月10日消息，网友tychii93近日在Reddit社区发帖，表示他兄弟的微星RTX3080GPU拆卸下来后，发现了特殊的“烧痕”，并初步判断是内存条的RGB灯条导致的。在该帖子下方，有多位用户反馈也遇到过类似的问题，其中一位用户反馈道：我也遇到过这种情况，我使用的是海盗船RGB内存。还有一位用户反馈：我的strix1080ti显卡配合tridentzrgb内存条使用7年之后，同样也出现
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消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
感谢IT之家网友Diixx、航空先生的线索投递！IT之家4月9日消息，据台媒DIGITIMES报道，美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨25%。多家存储模组厂已获悉美光方面的调价意向，价格谈判仍在进行中。美光此次调价的背景，一方面是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升，另一方面则是近期台湾地区地震对产能造成影响。美光在台湾地区的新北林口和台中均设有内存厂区，可生产其最先进的1-beta
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
IT之家4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后，一般以1+字母的形式称呼内存世代，1cnm即对应美光的1-gammanm表述，为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示，其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产；而近日据
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三星电子获内存专利诉讼有利判决，无需向 Netlist 支付 3.03 亿美元赔偿
IT之家4月7日消息，据韩媒MK报道，美国专利审查与上诉委员会（PTAB）近日在一起内存专利无效案件中作出了有利于三星电子的判决。这意味着三星无需向存储技术企业Netlist支付3.03亿美元（IT之家备注：当前约21.94亿元人民币）的赔偿。三星电子曾与Netlist达成过专利合作授权协议，但该协议已于2020年结束。双方的专利争端可追溯到2021年底，当时Netlist指控三星在HBM2/2E
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三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证，有望在 HBM4 内存大面积应用
IT之家4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。▲图源TheElec，下同相较现有键合工艺，混合
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TrendForce：美光 DRAM 产能受台湾地区花莲地震影响，内存厂商纷纷停止报价
IT之家4月7日消息，据TrendForce集邦咨询研报，美光在台DRAM内存产能遭受4月3日台湾地区花莲县海域里氏7.3级地震影响，致多家上游内存原厂和下游模组厂停止报价。研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的1-beta内存。根据IT之家以往报道，美光未来的1-gamma制程内存也将首先在台量产。▲美光台中工厂美光官方于4日发布公告，表示所有在台员工
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5600MHz 笔记本内存：联想拯救者 DDR5 16G*2 条 640 元京东发车
联想拯救者16G*2条原装笔记本套条（三星/海力土/镁光混发）日常售价740元，今日可领100元限时券，实付640元新低入手：京东联想拯救者内存16G*2条联想京东自营旗舰店券后640元领100元券原厂部件，支持三年质保，晒单赠插排。内存频率达5600，较DDR4标准频率上限3200相比，提升幅度高达75%。京东联想拯救者内存16G*2条联想京东自营旗舰店券后640元领100元券广告声明：文内含有
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Omdia：三星、SK 海力士下半年 DRAM 内存晶圆投片量有望回归减产前水平
IT之家4月3日消息，据《朝鲜日报》援引Omdia方面报告，三星电子、SK海力士下半年DRAM内存晶圆投片量有望回归减产前水平，结束近一年的减产，实现DRAM领域业务正常化。报告显示，三星电子本季度开始将月度DRAM内存晶圆投片量上调至60万片，相较上季度提升13%；预计三星将于下半年开始进一步上调投片量至每月66万片，持平减产前水平。近期有消息指出，三星电子位于华城和平泽的部分DRAM产线的晶圆
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