标签 > 标签文章:#闪存# (共有153文章) TrendForce:均价上涨,2024 年一季度 NAND Flash 产业营收环比增长 28.1% IT之家5月29日消息,TrendForce集邦咨询研究显示,由于AI服务器从二月起大量采用企业级(Enterprise)SSD,以及PC、智能手机厂商应对价格上涨、持续提高库存,2024年一季度NANDFlash营收环比增长28.1%,达147.1亿美元(IT之家备注:当前约1066.47亿元人民币)。三星一季度营收环比增长28.6%,达54亿美元,稳居市场首位。受益于企业级SSD出货量增加,以 2024年05月29日 13:43 26 0 又一国产硬盘入局!紫光集团发布“紫光闪存”固态硬盘产品系列 感谢IT之家网友我抢了台的线索投递!IT之家5月24日消息,近日,新紫光集团旗下紫光闪芯发布了「紫光闪存」固态硬盘及闪存产品系列。相关产品系列覆盖企业级、工业级及消费级市场的不同需求,为政府、金融、电信、能源、教育、医疗等领域行业客户和消费者带来存储产品及解决方案。日前,紫光闪芯发布的「紫光闪存」产品系列,涵盖以下分类:面向数据中心的企业级固态硬盘「UNISFlashE1000」、「UNISFla 2024年05月24日 08:53 31 0 消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度 IT之家5月22日消息,韩媒Bussinesskorea昨日报道称,三星电子、SK海力士目前对于增产通用存储芯片持保守态度。IT之家获悉,8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨了17%,但面向闪存盘等便携存储设备的128Gb(16Gx8)MLC通用闪存的价格却按兵不动。这主要是因为四月初的台湾地区地震影响了美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片的需求并未真 2024年05月22日 12:07 34 0 铠侠 2023 财年营收 10766 亿日元,同比下滑 16%,连续两年亏损 IT之家5月16日消息,铠侠近日公布了截至3月31日的2023财年业绩。铠侠2023财年实现10766亿日元(IT之家备注:当前约500.62亿元人民币)销售额,同比下滑16%。铠侠2023财年的净亏损为2437亿日元(当前约113.32亿元人民币),相较2022财年扩大105.6%,净亏损率达到23%,连续两年录得亏损。铠侠表示2023年经营状况恶化的主要运营还是上半财年(2023年4月至9月) 2024年05月16日 12:19 42 0 SK 海力士宣布开发新一代移动端 NAND 闪存解决方案“ZUFS 4.0”,今年第三季度量产并搭载于端侧 AI 手机 IT之家5月9日消息,SK海力士公司今日宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS(ZonedUFS)4.0”。IT之家注:端侧(On-Device)AI即指在设备本地运行的人工智能服务,而非依赖于云端服务器进行计算,由智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行运算,可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。SK海力士介绍称,ZUFS( 2024年05月09日 08:19 44 0 AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测 IT之家5月7日消息,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估为15~20%,仅eMMC/UFS涨幅较低,为10%。▲图源&nbs 2024年05月07日 15:49 54 0 消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备,有望简化闪存生产 IT之家5月7日消息,据韩媒TheElec报道,SK海力士正向东京电子(TEL)发送测试晶圆,以测试后者的低温蚀刻设备,有望在未来NAND闪存生产中导入。目前,提升堆叠层数是提升单颗3DNAND闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中,在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大,速度也随之降低。厂商不得不考虑将整体NAND闪存分割为多个闪存堆栈制造,之后将各个堆栈键合为一体。不过 2024年05月07日 09:21 49 0 三星电子:4nm 节点良率趋于稳定,二季度开始量产 HBM3E 12H 内存 IT之家4月30日消息,三星电子在今日公布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望,IT之家整理如下:系统LSI三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟,但晶圆厂的运营效率有一定提升。技术方面,三星称其3nm和2nm节点技术发展顺利,将在本季度完成2nm设计基础设施的开发;而在4nm节点方面,良率渐趋稳定。三星正就适用于3DIC的4nm技术进行准本,同时计划开发适用于14nm、8nm 2024年04月30日 10:42 16 0 铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片:连读写入速率提升 15%、封装面积减小 18% IT之家4月23日消息,铠侠今日宣布出样最新一代UFS4.0闪存芯片,提供256GB、512GB、1TB容量可选,专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。256GB:THGJFMT1E45BATV,封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB:THGJFMT2E46BATV,封装尺寸 9.0 x 13 2024年04月23日 14:04 56 0 消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成 感谢IT之家网友Diixx、咩咩洋的线索投递!IT之家4月22日消息,据韩媒ETNews报道,业内人士称三星电子近期已将NAND产能利用率提升至90%,相较一季度的80%进一步提升。IT之家注:对于三星电子的NAND业务,韩媒中ETNews和TheElec持较为乐观的态度,后者3月表示西安厂开工率已达70%;而《朝鲜日报》更为消极,认为三星继续在维持减产50%策略。▲ 三星电子第8代V- 2024年04月22日 18:25 53 0 美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存,同步发布 2500 固态硬盘 感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递!IT之家4月17日消息,美光宣布其在业界率先推出232层QLCNAND闪存。该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中,在消费级OEM端已随2500固态硬盘向客户出样,在企业端已开始为存储企业进行批量生产。美光表示其232层QLC拥有2400MT/s的闪存I/O速率,相较自家上代176层QLC闪存提升50%,同时读取性能和编程性能也分别提升了24%和31% 2024年04月17日 10:40 72 0 消息称铠侠再次寻求上市,筹集研发运营资金 IT之家4月16日消息,据《日本经济新闻》《读卖新闻》和彭博社报道,闪存企业铠侠将再次寻求上市。其登陆东京证券交易所的最早时间将是今年十月。自2019年从东芝分拆以来,铠侠一直在寻求IPO的机会。铠侠原计划于2020年10月上市,但因意外原因在最后一刻放弃,后又计划在2021年上市,但也未能成功。据悉,铠侠大股东贝恩资本昨(15)日同多家持有铠侠债权的日本银行进行了会谈,告知了此次的上市计划。铠侠 2024年04月16日 17:46 68 0 消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%,年内维持约 50% 规模上限 IT之家4月16日消息,据韩媒《朝鲜日报》报道,三星电子本季度在韩国平泽和中国西安NAND生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对进一步的增产持谨慎态度,以免影响到NAND价格的涨势。在马力全开的情况下,三星电子NAND闪存生产线季度晶圆投片量可超200万片。而目前三星内部对二至四季度的晶圆投片量均设下了120万片的红线,这意味着整体产能利用率维持在50%左右。▲图源三星官网报道预 2024年04月16日 10:42 58 0 消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存 IT之家4月12日消息,据韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲ 三星第8代V-NAND闪存Hankyung称第9代V-NAND闪存的堆叠层数 2024年04月12日 11:00 71 0 SK 海力士计划振兴旗下原英特尔 NAND 固态硬盘业务 Solidigm,但内部信心不足 IT之家4月9日消息,据韩媒NEWSIS报道,SK海力士计划振兴旗下子公司Solidigm,但除一系列外部挑战外还面临内部信心不足的问题。SK海力士于2021年以70亿美元(当前约506.8亿元人民币)完成了收购原英特尔NAND闪存和固态硬盘部门的第一阶段收购,并将这部分业务命名为Solidigm。然而Solidigm自诞生起就面临着低迷的NAND闪存行情,至今已遭遇7万亿韩元(IT之家备注:当前 2024年04月09日 13:19 80 0 铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务 IT之家4月7日消息,据日经xTECH报道,铠侠CTO宫岛英史在近日举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标2030~2031年推出1000层的3DNAND闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。铠侠与西部数据携手开发NAND闪存技术,目前这对合作伙伴最先进的产品是218层堆叠的BICS83D闪存。BICS8闪存可实现3200MT/s的I/O速率。另一家主要NAND企业三 2024年04月07日 12:56 79 0 TrendForce:预估二季度 NAND 闪存合约价继续上涨 13~18%,带动消费级固态硬盘价升逾一成 IT之家3月29日消息,TrendForce集邦咨询预估,由于除铠侠-西部数据外的上游闪存企业仍维持低投产策略,NAND闪存合约价将在二季度上涨13~18%,带动消费级固态硬盘合约价提升10~15%。集邦咨询表示,在市场基本面上,虽然第二季度的NAND闪存的采购量小幅低于一季度,但整体市场氛围仍受到上游减产影响,同时供应商库存水位也有降低,所以闪存合约价会继续上涨。▲ 图源TrendFo 2024年03月29日 10:13 78 0 长江存储 QLC 闪存 X3-6070 擦写寿命已达四千次,追上 TLC 产品 IT之家3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS 2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。IT之家注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级别的擦写寿命。▲图源中国闪存市场峰会 CFMS官方,下同长江存储CTO霍宗亮表示,目前NAND闪 2024年03月28日 11:42 78 0 美光宣布 1-gamma EUV 内存已试生产,下一代闪存目标 2025 年量产 IT之家3月22日消息,美光于近日发布了截至2月29日的2024财年第二财季财报,配套的演示文稿中对其DRAM内存和NAND闪存的未来与现状进行了介绍。美光称其引入EUV光刻的下一代1-gamma内存已进行了试生产,同时下一代NAND节点的开发也在按计划进行,目标2025日历年实现量产。回到目前,美光称其3/4的DRAM内存颗粒位于1-alpha/beta先进节点上,而在NAND闪存方面更是有90 2024年03月22日 10:35 86 0 集邦咨询:铠侠及西部数据产能利用率将恢复至 88%,带动 2024 年 NAND 闪存产量增长 10.9% IT之家3月20日消息,集邦咨询近日发布报告,表示铠侠及西部数据率先提升产能利用率,带动全年NANDFlash产量同比增长10.9%。集邦咨询表示基于目前的发展趋势,NANDFlash涨价将持续到2024年第2季度,部分供应商希望今年可以减少亏损、降低成本,并重新开始获利。铠侠和西部数据今年3月产能利用率恢复至近九成,其余业者均未明显增加投产规模。TrendForce集邦咨询进一步表示,为应对下半 2024年03月20日 08:29 100 0
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