9 月 7 日，SEMICON 中国台湾地区在线论坛台积电研发资深处长段孝勤在会上发言，他指出台积电在化合物半导体领域专注在氮化镓（GaN）相关开发，历经长期的发展氮化镓已逐渐开始被市场接受，预期未来十年将有更多应用场景。

他指出，台积电在氮化镓的五个主要应用场景包含快充、数据中心、太阳能电力转换器、48V DC/DC 以及电动车 OBC/转换器，对于相关应用蓝图并有对应制程设计。

段孝勤提到，台积电过去二十年在功率提升上投入，人们希望使用装置的耗能越少越好，台积也已在 BCD 电源管理技术上投入，功率组件自然也是重要关键，目前行动装置所需 BCD 制程已到 0.13 第三代，并正在开发 90/55/40/22 BCD，车用部分已有 0.18 第二代 BCD 与 0.13 BCD 并正开发最高 SOI 可达 100 V 的 55 BCD 制程。NVM 在电源管理应用上，已推出 MRAM 对应 28/22 纳米制程等。

段孝勤也展示台积电应对 MOSFET 的动态与静态制程特性，协助客户开发在功耗瓦数上降低与让产品最终成功。有别于碳化硅（SiC）应用材料特性，台积电更关注在氮化镓（GaN）的商机。

就新材料开发上，他提到，硅基氮化镓的挑战主要是表面的不平整程度考验。台积电已开发 GaN-on-Silicon 技术应对功率与射频组件需求。

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