IT之家 6 月 4 日消息，根据韩媒 koreaherald 报道，英特尔计划在韩国首尔设立科研实验室，通过扩展和三星、SK 海力士的合作，推进适用于数据中心的 DRAM 芯片研发工作。
位于首尔的数据中心开发实验室将于今年年底前竣工开业，主要负责为数据中心开发 DDR5 DRAM 内存技术。
英特尔在 Vision 2023 活动中，还表示在美国、中国、印度和墨西哥等地再设立 6 个科研机构，主要负责研究和认证服务器半导体芯片。
英特尔还扩大和三星、SK 海力士的合作，测试和评估 DDR5 和 Compute Express Link 等下一代内存产品的性能。
IT之家此前报道，SK 海力士最近宣布其第 5 代 10nm 工艺 1bnm 已完成验证，满足下一代 DDR5 和 HBM3E 的解决需求。
该公司表示，Xeon Scalable 获得了英特尔认证，以支持基于 10 亿纳米节点构建的 DDR5 产品。三星还开始量产采用 12nm 工艺节点的 16B DDR5 DRAM。
本文由LinkNemo爬虫[Echo]采集自[https://www.ithome.com/0/697/501.htm]
