IT之家 1 月 29 日消息，美光于 2023 年末在 IEEE IEDM 会议上披露了其 32Gb 3D NVDRAM（非易失性 DRAM）研发成果。不过根据外媒 Blocks & Files 从两位受采访的行业分析师处得到的消息，这一突破性的新型内存基本不可能走向商业化量产道路，但其展现的技术进展有望出现在未来内存产品之中。

美光的 NVDRAM 内存基于铁电性（IT之家注：具有自发极化，且极化方向可在外加电场下反转）原理，可在拥有类似 NAND 闪存的非易失性的同时获得接近 DRAM 的高耐久和低延迟。该新型内存采用双层 3D 堆叠，32Gb 的容量密度创下了铁电性存储器的新纪录。美光已基于 LPDDR5 规范对 NVDRAM 样品进行了测试，认为其适合严苛的 AI 负载。

不过，两位受采访的分析师均认为，美光 NVDRAM 本身不太可能成为量产产品。

来自 Objective Analysis 的分析师 Jim Handy 认为，美光的 32Gb NVDRAM 有三项重要技术进展：

• 首次在产品中实现相较现有 DRAM 更小的铁电性电容器；

• 在垂直通道上引入多晶硅技术；

• 将被用于 3D NAND 生产的 CuA（CMOS 阵列下）技术推广到内存领域。

Jim Handy 认为，美光 NVDRAM 在电容器中使用了锆（Zr）掺杂的氧化铪（HfO₂）高介电常数材料，可大幅降低内存刷新率并显著节省功耗。这一改进也可减小 DRAM 中电容器的体积，进一步提升存储密度。上述一系列技术改进使得美光可仅用 48nm 成熟工艺就生产出 32Gb NVDRAM。作为对比，三星去年推出了相同 32Gb 容量的 DDR5 DRAM，其采用的是 12nm 级工艺，相较美光样品大幅领先。

不过 Jim Handy 也表示，其听到过一些关于该 NVDRAM 不会进入量产阶段的暗示。

另一位接受采访的分析师是来自 MKW Ventures 的 Mark Webb。他认为美光在相关项目上投入了大量的时间和精力。而这样一份详细的论文出现在 IEDM 会议上，一般只有两种情况：要么即将推出产品；要么产品因未知原因取消。Mark Web 的结论是，他也不认为这一特定版本的产品将量产。

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