IT之家 2 月 22 日消息，存储网络行业协会（SNIA）多位专家近日预估，21 世纪 20 年代末将会掀起持久内存（PMEM）变革浪潮，相信新技术将取代 DRAM 等成熟的存储技术。

IT之家注：持久内存作为一个内存和外存的混合体，其高速持久化的特性在某些磁盘 IO 作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。

SNIA 的 Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 专家表示，以 SK 海力士和美光研制的铪铁电随机存取内存为例，其运行速度已经达到现代 DRAM 的水平，但目前无法确认哪种新兴内存技术成为最后的赢家，最终取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。

铁电随机存取内存的特点是快速写入周期，但它还有诸多强大的竞争者。这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储器技术都在竞相取代 SRAM、NOR 闪存和 DRAM 等现有标准。

专家表示 MRAM 与其竞争对手相比具有很大的优势，在可以预见的未来，其读取速度可以媲美 DRAM。

自旋轨道力矩（spin-orbit torque）和电压调控磁各向异性磁随机存储器等新技术也正在缩短 MRAM 的写入延迟时间，使其成为有朝一日可能取代 DRAM 的主要候选产品之一。

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