IT之家 6 月 6 日消息，铠侠控股昨日召开经营方针说明会，称其计划在五年内将产能翻一番（IT之家注：以存储容量计算），到 2026 年生产出下一代 NAND 闪存。
铠侠表示，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，到 2029 财年将产能较 2024 财年提高一倍，以满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。
同日，该公司公布了其中长期经营计划，北上市第二生产基地大楼将于 9 月落成，并将引入新设备以提升产能，计划在 2026 年 3 月实现其销售额超过现有产品。
铠侠下一代存储器被称为“存储级存储器（SCM）”，其数据读写速度快于 NAND，与目前用于 AI 的 DRAM 相比存储容量更大，因此与 AI 芯片结合使用时可进一步提升 AI 性能。
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