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ASML 将于今年推出透光率超 90% 的 EUV 防护膜,提高光刻机效率

发布于 2021/05/15 12:30 457浏览 0回复 371

IT之家 5 月 15 日消息 目前最前沿的手机、电脑芯片多使用 EUV 极紫外光进行刻蚀,但是这种光线难以被反射和折射,制造过程中损耗率非常大。根据外媒 TheElec 消息,ASML 将于今年开始为光刻机提供新型 EUV 防护膜,透光率可达 90.6%,目前即将开始生产。

外媒表示,此种防护膜主要用于安装在 EUV 光路和晶圆制造空间之间,用于防尘。此前的防护膜透光率仅有 78%,然而一片的价格高达 26000 美元(约 16.74 万元人民币)。三星和台积电目前为了生产效率,没有使用这种防护膜,尽管这会提高晶圆表面被污染的风险。这两家代工厂此前表示,他们需要透光率超过 90% 的防护膜,才会考虑应用到生产线上。

IT之家了解到,ASML 宣布此款 EUV 防护膜能够承受 400W 的功率,将由日本厂商三井化学制造。


本文由LinkNemo爬虫[Echo]采集自[https://www.ithome.com/0/551/587.htm]

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