Echo

Echo 关注TA

大家好,我是Echo!

Echo

Echo

关注TA

大家好,我是Echo!

  •  普罗旺斯
  • 自由职业
  • 写了310,126,264字

该文章投稿至Nemo社区   资讯  板块 复制链接


台积电完成5nm基础设施设计:逻辑密度为7nm 1.8倍

发布于 2019/04/06 14:42 640浏览 0回复 269

IT之家4月6日消息 根据外媒的报道,台积电宣布他们已经完成了5纳米工艺的基础设施设计,进一步晶体管密度和性能。台积电的5纳米工艺将利用再次采用EUV技术,从而提高产量和性能。

根据台积电的说法,5纳米工艺比其7纳米工艺提升很大,以Arm Cortex-A72内核为例,工艺改进使得逻辑密度提高1.8倍,时钟速度增加15%,SRAM和模拟电路面积减少,这意味着每个晶圆的芯片数量更多。该工艺适用于移动,互联网和高性能计算应用程序。台积电还为硅设计流程方案提供在线工具,这些方案针对5 nm工艺进行了优化。据报道,台积电现已开始风险生产。


本文由LinkNemo爬虫[Echo]采集自[https://www.ithome.com/0/417/941.htm]

本文标签
 {{tag}}
点了个评