IT之家4月3日消息，英特尔近日举办了一场代工业务网络研讨会。除了展示代工部门独立计算在财务上带来的变化外，该研讨会还分享了英特尔代工未来的技术发展路线图。根据制程工艺路线图，英特尔目标到18A节点重新成为一流代工厂，并在14A节点确立领先地位。在功耗方面，目前已有的Intel7节点落后于竞争对手，英特尔计划于近期的Intel3节点与行业领先企业（台积电）相当，同时在未来的18A节点实现略好于竞争

近日，英特尔CEO基辛格在摩根士丹利投资者大会上透露，英特尔先进制程进展超预期，原计划2025年推出的Intel18A制程，量产有望提前半年，目前并已找到客户，但名单并未透露。基辛格强调，Intel18A制程也会提供晶圆代工服务。Intel18A（1.8nm）制程是英特尔新命名的制程之一。2020年，英特尔提出Intel7、Intel4、Intel3及Intel20A、Intel18A等先进制程，

台积电总裁魏哲家在法说会上透露，3纳米制程进展符合预期，将于今年下半年量产。不过据Digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。半导体设备厂商并指出，台积电已将3纳米划分出N3、N3E与N3B等多个版本以符合不同客户的需求。据悉，与5纳米工艺相比，3纳米制程可以提高70%的晶体管密度，15%的性能，降低30%的功耗。有消息称台积电将在2

9月21日，钜亨网报道，全球范围晶圆厂代工满载，不仅硅片需求强劲，再生晶圆同样供不应求。报道称，目前中国台湾三大再生晶圆厂商升阳半、辛耘、中砂纷纷表示，今年新增产能部分已经悉数满载，明年将进一步扩产。业内人士表示，再生晶圆为晶圆厂进入量产前重要材料，可用于监控制程参数与生产环境等，同时减少成本消耗，是提高良率、降低成本的关键要素，因此各制程新产能不断开出，对再生晶圆的需求也跟着增加。另外，半导体产

五月初，IBM宣布2nm工艺制程取得重大技术突破引发一番热议，提醒业界5nm处理器已经大规模市场化，芯片巨头们也已进入下一轮制程竞赛：三星披露其即将推出的3nm工艺将基于下一代晶体管类型全栅极（GAA）FET，台积电也计划将FinFET扩展到3nm，然后到2024年左右迁移到2nm的纳米片FET。一直以来，芯片巨头都将先进制程作为竞争的目标，一方面是将摩尔定律奉为圭臬，力争做到功耗、性能和面积（P

IT之家5月17日消息 台积电今日联合台大、麻省理工宣布，在1nm以下芯片方面取得重大进展，研究成果已发表于Nature。该研究发现，利用半金属铋Bi作为二维材料的接触电极，可以大幅降低电阻并提高电流，实现接近量子极限的能效，有望挑战1nm以下制程的芯片。据介绍，该发现是由麻省理工团队首先发现的，随后台积电将“易沉积制程”进行优化，而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统

据国外媒体报道，连续5年独家获得苹果A系列处理器代工订单的台积电，近几年在芯片制程工艺方面走在行业前列，5nm工艺已在今年大规模量产，更先进的3nm工艺也在按计划推进，计划明年风险试产，2022年下半年大规模量产。而从台积电新披露的消息来看，在5nm工艺和3nm工艺之间，他们还将推出4nm芯片制程工艺。台积电是在官网所披露的二季度财报分析师电话会议材料中，提及4nm工艺的。台积电CEO、副董事长魏