感谢IT之家网友slax01的线索投递！IT之家6月12日消息，6月7日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学、复旦大学相关团队在国际学术杂志Science上发表了题为“Developingfatigue-resistantferroelectricsusinginterlayerslidingswitching”（利用二维滑移铁电机制开发抗疲劳铁电材料）的

感谢IT之家网友Hi_World的线索投递！IT之家5月2日消息，SK海力士今日在韩国京畿道利川总部举行了一场以“AI时代，SK海力士蓝图和战略”为主题的国内外记者招待会，并公布了面向AI的存储器技术力及市场现状、韩国清州、龙仁、美国等未来主要生产据点相关的投资计划。SK海力士CEO郭鲁正表示，虽然目前AI需求以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧AI领域。因此，专门用于A

IT之家4月25日消息，韩国科技先进研究院（KAIST）近日发表论文，成功研发新型相变存储器（phasechangememory，PCM），可以灵活切换结晶（低电阻）和非晶体（高电阻），从而结合DRAM和NAND的优点。DRAM速度快但不稳定，这意味着断电时（例如关闭计算机时）存储在其中的数据就会消失；而NAND闪存即使断电也能保留数据，但速度明显慢于DRAM。图源：IBMPCM虽然实现了速度和非

IT之家1月23日消息，清华大学研究人员开发出了一种液态金属存储器，命名为 FlexRAM，研究已发表于《AdvancedMaterials（先进材料）》杂志。▲图源清华大学，引用自IEEE.org，下同FlexRAM是首款完全灵活的电阻式RAM设备，其主要成分包括悬浮并注入Ecoflex（一种可拉伸生物聚合物）的液态金属镓液滴（用于1/0二进制存储值的电荷）。研究人员使用镓基液态金属来

IT之家7月19日消息，中国科学院微电子研究所今日发文，微电子所刘明院士团队提出了一种基于TiN/TiOxNy/TiOx/NbOx/Ru结构的非细丝型自选通阻变存储器，并在16层三维垂直结构上实现。据介绍，该存储器实现了50倍开态电流密度的提升，并达到了高非线性（>5000）。TiOx内部峰状势垒的形成有效提升了器件的非线性。第一性原理计算结果表明Nb2O5的氧空位聚合能为正值，这表明氧空位

感谢IT之家网友航空先生的线索投递！IT之家2月10日消息，GlobalFoundries（GF，格芯）近日宣布，已经收购瑞萨电子公司（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器(conductive-bridgingRAM，CBRAM)技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。这项交易进一步加强GF的存储器产品组合，并通过增加另

感谢IT之家网友OC_Formula的线索投递！IT之家1月22日消息，旺宏电子股份有限公司是一家提供非易失性存储器整合元件解决方案制造厂商，其总部设于中国台湾新竹科学园区，旗下产品主要以ROM、NORFlash与NANDFlash为主，多处于龙头地位。目前旺宏拥有一座12吋晶圆厂及一座8吋晶圆厂；6吋晶圆厂2021年8月以新台币25.2亿元出售予鸿海。最近，旺宏三维储存型快闪存储器（3DNAND

IT之家1月7日消息，据TrendForce集邦咨询研究显示，由于多数供应商已开始减产，2023年第一季NANDFlash价格季跌幅将收敛至10~15%，削价竞争也在原厂启动减产后获控制。其中，由于NANDFlashWafer已近现金成本，跌幅将是最先获控制的产品；EnterpriseSSD作为原厂消耗库存的重要市场，且利润空间较大，是跌幅最深的产品。整体而言，NANDFlash历经2022下半年

IT之家9月26日消息，据央视财经报道，去年存储芯片价格持续上涨，今年却价格一路向下。据上海虹口区一家数码电子商城显示，容量1TB的M2接口的存储器三星980去年价格一度上涨至1400元左右，目前已经不到700元。据央视报道，目前大多数存储器的价格都有较大跌幅。商户表示，自去年11月后，存储器价格便开始一路下滑。存储器主要由控制器和存储芯片组成，决定其价格的就是存储芯片。今年上半年，下游需求下滑，

8月23日，野村证券（Nomura）发布报告称，随着市场需求疲软，预计近期存储器产业将迎来更严峻的硬着陆，但需求弹性及减产是潜在的正面催化剂。野村证券认为，科技硬件市场已进入严重衰退，且恶化速度快于整体宏观经济，该产业原本受惠于疫情期间的在家上班需求，但随着各国经济活动重新开放，以及俄乌战争推升通膨及财务负担，该产业趋势急转直下。野村证券表示，由于下游客户正在调整库存，存储器厂商的库存水平正在快速

摩根士丹利（大摩）证券示警，由于需求疲软，将导致下半年存储器价格更快速下滑，影响范围包括三大内存。三大内存为动态随机存取存储器（DRAM）、编码型闪存（NORFlash）、储存型闪存（NANDFlash）。报告指出，由于需求疲软，加上厂商与客户端的高库存水位，内存供应链将面临巨大的去库存压力，造成下半年价格将进一步下跌，且严重程度将大过市场预期。对于中国台厂，大摩认为，除了旺宏、华邦电、南亚科、力

7月29日，存储器模块厂宇瞻科技召开法说会。总经理张家騉认为，随着客户缺料情况缓解，需求较稳健的5G、AIoT客户将启动拉货，看好第四季营运可望筑底回温。对于存储器市况，张家騉预期，DRAM第四季随着缺料情况缓解，需求可能缓步成长；NANDFlash供过于求的情况，预期到年底前都无法缓解。张家騉认为，因通货膨胀、疫情封城与俄乌战争等外部因素影响消费性需求，但5G基础建设、AIoT、娱乐产业等领域逐

感谢IT之家网友情系半生nh的线索投递！IT之家4月18日消息，据中国科学院发布，瞬态可溶存储器是皮肤电子与可植入器件中的重要组成部分和信息存储媒介，器件在实现可控降解的同时还需具备稳定的存储和加密功能。随着传感器集成种类和数量的飞速增长，目前瞬态可溶存储器的存储性能很难满足多种信息类型、高信息量存储等要求，亟需从存储器机理、材料和结构方面寻求进一步的突破。 继2020年研制出全球首款可

众所周知，DRAM作为存储器中的重要组成部分，在半导体产业链当中也是具有举足轻重的地位，不过，DRAM价格自去年上半年持续上涨之后，在三季度见顶，随后便阴跌不止，目前来看，仍未有止跌的趋势。有代理商告诉笔者，需求不振，加上苹果、国内手机厂都砍单，市场行情不太好，所以现货价格一直在跌，现在已经出现倒挂了。整体需求不振，DDR4持续跌价资料显示，存储器市场主要包括DRAM和Flash，两者的销售额合计

美国加州存储器开发公司Netlist日前表示，美国加州中央地区法院做出了有利于该公司的判决，裁决三星在共同开发和许可协议中严重违反了义务。据THEELEC报道，Netlist指出，法院在判决书中指出，三星违反了对Netlist的供应义务和付款义务，Netlist适当终止了协议，从而暂停了三星在协议下的专利和权利。据了解，Netlist和三星于2015年签订了专利交叉许可协议，Netlist从三星获

近日，华中科技大学集成电路学院发文称，学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器。大数据时代对存储器的性能提出了极高的要求，尤其是类脑计算、边缘计算急需功耗极低的存储器。在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。然而，由于在相变

1月17日报道，近日，三星电子在顶级学术期刊Nature上发表了全球首个基于MRAM（磁性随机存储器）的存内计算研究。存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动，大大降低了AI计算的功耗，被视作边缘AI计算的一项前沿研究。虽然MRAM存储器件具备耐用性、可大规模量产等优势，但其小电阻的特性阻碍了这类存储器被用于存内计算。本次，三星电子的研究团队通过构建新的MRAM阵列结构，用基于28nmCMOS工

北京微电子技术研究所消息显示，近日，中国航天科技集团公司九院772所（以下简称“772所”）率先提出基于栅氧反熔丝技术研制抗辐射PROM的技术路线，研制出国际最大容量抗辐射反熔丝PROM存储器，产品存储容量达到128Mbit，可满足Virtex5系列和Kintex7系列主流FPGA配置需求，提供了一条自主创新、自主可控的大容量FPGA配置解决方案。据悉，772所基于国际最先进的栅氧化层反熔丝技术，

12月17日，“杭州芯火壹号”HX001芯片发布，宣告杭州国家“芯火”第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片诞生。该芯片是杭州国家“芯火”双创平台共性技术研究的一部分，由杭州国家“芯火”双创平台与浙江大学微纳电子学院协同开发完成。图片来源：杭州国家芯火据悉，“杭州芯火壹号”HX001芯片的阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置，制备Pd/Al

11月19日，纳芯半导体科技（浙江）有限公司（以下简称“纳芯半导体”）投建的纳芯制造基地一期（一阶段）存储器生产SMT段全自动生产线正式落成试投产。图片来源：纳芯半导体科技纳芯半导体科技消息显示，纳芯制造基地试投产的两条SMT生产线均由贴片机以及高精度AOI全自动光学检测设备、回流炉、全自动丝印机等配套设备组成，可实现零件的印刷、贴装、焊接，满足封装小型化和组装高密度化以及各种新型封装技术要求，为