IT之家8月27日消息，综合韩媒TheElec和ZDNetKorea报道，SK海力士副总裁（也称常务）文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称，Chiplet芯粒/小芯片技术将在2~3年后应用于DRAM和NAND产品。并非所有存储产品控制器功能都需要使用先进工艺，采用Chiplet设计可将对工艺要求较低的功能模块剥离到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影响功能实现的同时大幅降低成本。SK海力士正在内部开发

IT之家8月1日消息，韩媒ETNews报道称，SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发，计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产。SK海力士此前在2023年展示了321层堆叠NAND闪存的样品，并称这一颗粒计划于2025上半年实现量产。▲SK海力士321层NAND闪存按照韩媒的说法，SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年，明显短于业界平均水平

IT之家4月24日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早2026年推出采用3D封装的2nm移动端处理器。IT之家注：混合键合技术是一种无凸块（焊球）的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术，混合键合可降低上下层芯片间距，提升芯片之间的电信号传输性能，增加IO通道数量。混合键合已在3DNAND闪存中使用，未来即将用于HBM4内存。新项目将是三星首次尝试在

IT之家4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。▲图源TheElec，下同相较现有键合工艺，混合