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标签 > 标签文章:#闪存# (共有172文章)

  • 时创意宣布 1TB 容量 UFS 3.1 嵌入式闪存芯片量产

    时创意宣布 1TB 容量 UFS 3.1 嵌入式闪存芯片量产
    IT之家11月21日消息,分析机构TrendForce集邦咨询昨日在深圳举办了MTS2025存储产业趋势研讨会。在本次会议上,国内存储企业时创意SCY发布了1TB容量款UFS3.1嵌入式闪存芯片。时创意此前已推出过128~512GB容量的UFS3.1芯片,此次推出的1TB款扩展了时创意高速UFS产品的容量覆盖。时创意的1TB款UFS3.1闪存尺寸为11×13×1.2mm,采用153ballFBGA

     19    0    2024-11-21 16:36

  • PNY 发布新 PRO Elite Prime 闪存卡和读卡器:最高 1.5TB,读取最快 200 MB/s、写入 150 MB/s

    PNY 发布新 PRO Elite Prime 闪存卡和读卡器:最高 1.5TB,读取最快 200 MB/s、写入 150 MB/s
    IT之家11月8日消息,PNY昨日(11月7日)发布新闻稿,宣布推出PROElitePrimemicroSD闪存卡和PerformancePrimemicroSD读卡器,协同工作可实现超高速性能,满足用户对严苛任务的需求。PROElitePrimemicroSD闪存卡这款闪存卡在容量方面涵盖64GB到1.5TB,为专业人士和高级用户提供极致性能,满足对更高存储容量和更快读写速度的需求。PROEli

     71    0    2024-11-08 08:00

  • 消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 结构

    消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 结构
    IT之家10月29日消息,《韩国经济日报》当地时间昨日表示,根据其掌握的最新三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代V-NAND堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的0anmDRAM则将采用VCT结构。三星目前最先进的NAND和DRAM工艺分别为第9代V-NAND和1bnm(12纳米级)DRAM。报道表示三星第10代(即下代)V-NAND将被命名为BV(BondingVerti

     111    0    2024-10-29 14:48

  • 消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO:投资者欲大致砍半到 8 千亿日元

    消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO:投资者欲大致砍半到 8 千亿日元
    IT之家10月14日消息,据路透社日本当地时间11日报道,铠侠原定本月进行IPO的计划被取消,是因为铠侠大股东贝恩资本与外部投资者间对这家NAND闪存与固态硬盘巨头的估值存在巨大差异。参考IT之家此前报道,贝恩资本对铠侠的估值大致为1.5万亿日元(IT之家备注:当前约712.05亿元人民币),这一目标高于今年截至目前为止任意一家在日IPO企业,但投资者的整体看法却仅有该数值的约一半,即8000亿日

     78    0    2024-10-14 09:18

  • QLC 企业级固态硬盘销售旺盛,消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资

    QLC 企业级固态硬盘销售旺盛,消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资
    IT之家9月9日消息,《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称,由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好,SK海力士旗下 Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG(IT之家注:浮动栅极,Floating Gate)NAND闪存工艺,并获得新的设备投资。Solidigm 大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士,目前主要生产192层FG结构

     109    0    2024-09-09 18:06

  • TrendForce:今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓,AI SSD 推动营收环比增长 14%

    TrendForce:今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓,AI SSD 推动营收环比增长 14%
    IT之家9月9日消息,TrendForce集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,今年第二季度NANDFlash(闪存)价格持续上涨。但由于PC和智能手机厂商库存偏高,导致Q2NANDFlash位元出货量环比下降1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元(IT之家备注:当前约1193.37亿元人民币),较前一季实现环比增长14

     104    0    2024-09-09 15:06

  • TrendForce:消费电子需求恢复缓慢,预计下半年存储器价格将面临压力

    TrendForce:消费电子需求恢复缓慢,预计下半年存储器价格将面临压力
    IT之家8月29日消息,TrendForce集邦咨询今日表示消费电子需求未如预期回温,以消费产品为主的存储器现货价格今年二季度环比下跌超三成,预计下半年存储器价格将面临压力。报告表示,存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM内存库存,到2024年二季度库存已达11~17周。但智能手机整机库存过高,笔电市场也因AIPC兴起而需求延后,导致存储器现货价格开始走弱,这一情况也将传导到合约价上

     111    0    2024-08-29 15:48

  • 复旦团队国际首次验证超快闪存集成工艺:20 纳秒超快编程、10 年非易失

    复旦团队国际首次验证超快闪存集成工艺:20 纳秒超快编程、10 年非易失
    感谢IT之家网友我抢了台的线索投递!IT之家8月13日消息,据复旦大学官方今日消息,人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度在百微秒级,无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存。然而,如何实现规模集成、走向实际应用极具挑战。从界面工程出发,复旦大学团队在国际上首次验证了1Kb超快闪

     78    0    2024-08-13 12:57

  • SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒

    SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒
    IT之家8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲ JEDECUFS规范页面SK海

     98    0    2024-08-09 09:45

  • 华邦推出 1GB QspiNAND 物联网闪存:读取最高 52 MB/s,功耗可低至 1µA

    华邦推出 1GB QspiNAND 物联网闪存:读取最高 52 MB/s,功耗可低至 1µA
    感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递!IT之家8月8日消息,华邦电子(WinbondElectronics)面向可穿戴设备、低功耗物联网设备,推出了1GB1.8VQspiNAND闪存W25N01KW。这款闪存产品专为可穿戴设备和电池驱动物联网设备设计,具有待机功耗低、封装小巧、可连续读取等特点,并支持快速启动和即时开启。官方表示在连续读取和顺序读取模式下,读取速度高达52MB/s;该闪存还具备先进

     90    0    2024-08-08 09:21

  • 铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工,2025 年秋季投入运营

    铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工,2025 年秋季投入运营
    IT之家8月1日消息,铠侠宣布其日本岩手县北上市工厂的K2制造大楼(Fab2)已于7月建设完工,计划2025年秋季投入运营。▲实地图。左侧为K2,右侧为K1铠侠于2022年3月开始建设K2大楼,当时预计这一工厂可于2023年内完工。不过在建设过程中,整体NAND闪存行业遭遇了一段漫长的低谷期,K2的建设进度也随之放缓。▲2022年版K2概念图铠侠计划将日本政府提供的2429亿日元(IT之家备注:当

     112    0    2024-08-01 18:15

  • 消息指 SK 海力士加速 NAND 研发,400+ 层闪存明年末量产就绪

    消息指 SK 海力士加速 NAND 研发,400+ 层闪存明年末量产就绪
    IT之家8月1日消息,韩媒ETNews报道称,SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发,计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备,2026年二季度正式启动大规模生产。SK海力士此前在2023年展示了321层堆叠NAND闪存的样品,并称这一颗粒计划于2025上半年实现量产。▲SK海力士321层NAND闪存按照韩媒的说法,SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年,明显短于业界平均水平

     89    0    2024-08-01 09:12

  • TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

    TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
    IT之家7月22日消息,TrendForce集邦咨询在今日公布的最新研报中表示,在HBM和QLC崛起的带动下,2024年DRAM内存和NAND闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。具体而言,DRAM内存产业的营收将达907亿美元(IT之家备注:当前约6602.49亿元人民币),环比增长75%;而NAND闪存产业的营收将达674亿美元(当前约4906.37亿元人民币),环比增长77%。展望2025年,

     129    0    2024-07-22 17:27

  • 消息称铠侠将于 7 月内启动 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 闪存量产

    消息称铠侠将于 7 月内启动 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 闪存量产
    IT之家7月4日消息,《日经新闻》报道称,铠侠将于本(7)月内在日本三重县四日市工厂启动1Tb版BiCS83DNAND闪存的量产。▲ 铠侠四日市晶圆厂内部。图源铠侠官网由铠侠和西部数据联合研发的BiCS8闪存于2023年3月发布,其堆叠层数达到218层,引入了CBA(CMOSdirectlyBondedtoArray)外围电路直接键合到存储阵列技术。这一设计将外围短路和单元存储阵列划分在

     116    0    2024-07-04 11:21

  • 业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产

    业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产
    IT之家7月3日消息,国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产512Mb高可靠性工业级2DNAND闪存芯片。512Mb的容量使得这款2DNAND闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据,为此后的系统代码升级留有足够空间。至讯创新表示,这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时,对芯片尺寸做了全面优化,实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸,“性价比优势凸显”。▲ 至讯创新工业级SL

     116    0    2024-07-03 10:45

  • TrendForce:预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%

    TrendForce:预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%
    IT之家6月28日消息,TrendForce集邦咨询今日发布最新研报,预估三季度NAND闪存产品合约价的整体涨幅从二季度的15~20%收窄至5~10%。集邦咨询表示,下半年几大原厂积极增产;企业级固态硬盘受惠于服务器订单回升,需求稳定增长,但消费电子领域需求持续不振,导致NAND供过于求更为明显,这也是涨幅减少的主因。▲图源TrendForce集邦咨询IT之家按类别整理TrendForce集邦咨询

     110    0    2024-06-28 19:06

  • 消息称铠侠结束 NAND 闪存减产,现有工厂开工率均已恢复至 100%

    消息称铠侠结束 NAND 闪存减产,现有工厂开工率均已恢复至 100%
    IT之家6月17日消息,据日经亚洲报道,铠侠已于本月将其位于日本三重县四日市和岩手县北上市的两座现有NAND闪存工厂的生产线开工率提升至100%。这也意味着,铠侠结束了从2022年10月开始连续20个月的减产,其NAND闪存生产实现正常化。不过铠侠仍未启动北上市新晶圆厂运营,该新晶圆厂原定于2023年投产。铠侠此次结束减产的背景是NAND闪存行业已逐渐从此前的低谷中走出,整体呈现复苏态势。这主要源

     140    0    2024-06-17 11:06

  • Omdia:2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%,为去年 3.6 倍

    Omdia:2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%,为去年 3.6 倍
    IT之家6月14日消息,韩媒Sedaily转述市场分析机构Omdia的话称,2027年QLC市场规模将占到整体NAND闪存的46.4%,仅略低于TLC的51%。作为对比,Omdia认为2023年QLC闪存市场份额占比仅有12.9%,今年这一比例将大幅增至20.7%。换句话说,未来三年QLC在NAND市场整体中的占比将在今年的基础上继续提升1.24倍,达2023年的3.6倍。在2023年及以前,QL

     123    0    2024-06-14 15:48

  • 业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

    业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片
    IT之家6月14日消息,西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8(218层)QLCNAND芯片,这也是业界目前最高密度的闪存芯片。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计,可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本,满足越来越庞大的数据存储需求。一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成,单芯片2Tb意味着西数可通过16层堆叠提供4TB容量颗粒,为未来128TB乃至256TB量级企

     146    0    2024-06-14 09:24

  • TrendForce:均价上涨,2024 年一季度 NAND Flash 产业营收环比增长 28.1%

    TrendForce:均价上涨,2024 年一季度 NAND Flash 产业营收环比增长 28.1%
    IT之家5月29日消息,TrendForce集邦咨询研究显示,由于AI服务器从二月起大量采用企业级(Enterprise)SSD,以及PC、智能手机厂商应对价格上涨、持续提高库存,2024年一季度NANDFlash营收环比增长28.1%,达147.1亿美元(IT之家备注:当前约1066.47亿元人民币)。三星一季度营收环比增长28.6%,达54亿美元,稳居市场首位。受益于企业级SSD出货量增加,以

     128    0    2024-05-29 13:43