IT之家11月12日消息，据韩国产业通商资源部官网新闻稿，半导体光刻胶巨头日本JSR今日在韩国忠清北道清州举行MOR（IT之家注：金属氧化物）光刻胶生产基地的奠基仪式。该生产基地由 JSR在韩子公司JSRMicroKorea建设，将生产可用于EUV光刻的MOR光刻胶，目标2026年建成投产。这也是韩国境内的首个同类光刻胶工厂。适用于EUV制程的MOR光刻胶能够替代低端化学放大光刻胶，在确

IT之家11月4日消息，TechInsights在当地时间10月24日的分析中表示，每台ASML0.33NAEUV光刻机的功耗就已经达到了1170kW，而0.55NA(HighNA)光刻机的功耗预计将进一步增长至1400kW（IT之家注：大致与1000台满载运行的电火锅相当）。▲ASML0.33NAEUV光刻机根据该机构统计，目前有31家晶圆厂采用EUV光刻，到2030年将增长至59家，而EUV光

IT之家11月1日消息，据美国商务部当地时间昨日新闻稿，该部门与美国《CHIPS》法案美国国家半导体技术中心NSTC项目运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心建设首个《CHIPS》法案旗舰研发站点。该站点名为“EUV加速器”，重点推进最先进的EUV光刻技术以及依赖于该技术的研发工作，预计将获得8.25亿美元（IT之家备注：当前约58.75亿元人民币）的美国联邦投资支持。“EUV

IT之家10月9日消息，ASML新任CEO傅恪礼（ChristopheFouquet）出席SPIE大会并发表演讲，重点介绍了HighNAEUV光刻机。他提到，HighNAEUV光刻机不太可能像最初的EUV光刻机那样出现延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程。这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快HighNAEUV光刻机的发的和

IT之家9月3日消息，日经报道称，英特尔将与日本产业技术综合研究所（AIST）在日本建立芯片研发基地，新设施将在三到五年内建成，配备极紫外线光刻（EUV）设备。▲图源：英特尔设备制造商和材料公司将付费使用该设施进行原型设计和测试。据介绍，这将是日本第一个行业成员能够共同使用极紫外光刻设备的中心。IT之家查询获悉，产业技术综合研究所隶属经济产业省，是日本一家设法使用集成科学和工程知识来解决日本社会和

IT之家8月16日消息，首尔经济日报昨日（8月15日）报道，三星将于2024年第4季度至2025年第1季度期间，安装首台来自ASML的High-NAEUV光刻机，并预估2025年年中投入使用。报道称三星将在其华城园区内安装首台ASMLTwinscanEXE:5000High-NA光刻机，主要用于研发目的，开发用于逻辑和DRAM的下一代制造技术。三星计划围绕高High-NAEUV技术开发一个强大的生

IT之家8月14日消息，东京电子TEL当地时间7月8日宣布推出AcreviaGCB（IT之家注：气体团簇光束，GasClusterBeam）系统，该系统可对EUV光刻图案进行临界尺寸和形状的精确调整。东京电子此次发布Acrevia系统旨在同另一家半导体设备巨头应用材料竞争EUV图案塑形领域的订单：应用材料于当地时间2023年2月28日推出了功能类似的CenturaSculpta系统。东京电子的Ac

IT之家7月23日消息，韩媒TheElec本月17日报道称，三星电子预计于明年推出的2nm先进制程将较现有3nm工艺增加30%以上的EUV曝光层数，达“20~30的中后半段”。韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子3nm工艺的平均EUV曝光层数量仅为20层；而在预计于2027年量产的SF1.4制程中，EUV曝光层的数量有望超越30层。▲&

IT之家6月14日消息，全球研发机构imec表示阿斯麦（ASML）计划2030年推出Hyper-NAEUV光刻机，目前仍处于开发的“早期阶段”。阿斯麦前总裁马丁・凡・登・布林克（MartinvandenBrink）于今年5月，在比利时安特卫普（Antwerp）召开、由imec举办ITFWorld活动中，表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级Hyper-NA。与此同时，我们必须将所

IT之家4月29日消息，据三星官方新闻稿，三星电子会长李在镕于当地时间26日访问蔡司位于德国奥伯科亨的总部，并于蔡司CEO卡尔・兰普雷希特等就加强两家公司的合作进行了讨论。▲李在镕（中）、兰普雷希特（左）与蔡司半导体制造技术部门CEO安德烈亚斯・佩歇尔（右）在蔡司总部外合影留念。图源三星新闻稿，下同蔡司是ASMLEUV光刻机光学系统的独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件，蔡

IT之家2月5日消息，德国默克公司高级副总裁AnandNambier近日在新闻发布会上称，未来十年DSA自组装技术将实现商用化，可减少昂贵的EUV图案化次数，成为现有光刻技术的重要补充。IT之家注：DSA全称为Directedself-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征实现周期性图案的自动构造，在此基础上加以诱导，最终形成方向可控的所需图案。一般认为，DSA不适合作为一项独立的图案化技术

IT之家2月3日消息，根据韩媒TheElec的报道，DRAM内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是1cnm工艺引入更多新技术。IT之家注：1cnm世代即第六个10+nm世代，美光也称之为1γnm工艺。目前最先进的内存为1bnm世代，三星称其1bnm为12nm级工艺。分析机构TechInsights高级副总裁ChoiJeong-dong在近日的一场研讨会上表示，美光将在1cnm节点率先引入钼

IT之家2月11日消息，据TheElec报道，韩国EUV设备制造商ESOL首席执行官KimByung-gook在接受采访时表示，今年将推出其第二代EUV（极紫外）设备原型。KimByung-gook说，该公司去年获得了350亿韩元（当前约1.88亿元人民币）的资金，其中大部分将用于研发。到目前为止，ESOL已经在其第一代产品线中推出了四款产品。其中，EUV掩模检查设备和EUV薄膜透光率检测机已经产

集微网消息，美光总裁暨CEO梅罗特拉（SanjayMehrotra）今日表示，台中厂今年将导入EUV。据台媒报道，梅罗特拉指出，中国台湾拥有世界上最先进的逻辑和DRAM半导体技术，美光在中国台湾创建DRAM卓越制造中心，是先进的半导体制造生态系统，并部署由人工智能自动化驱动的智能制造系统，有助于生产运营和高质量。ICInsights的报告显示，美光在2021年是第三大DRAM供应商，DRAM销售额

Counterpoint发布的最新报告显示，由于5G、物联网、云计算、高性能计算、汽车芯片和其他领域的需求增加，预计到2030年半导体行业收入将达到1万亿美元左右。随着技术节点缩小，DUV（深紫外）和EUV（极紫外）光刻系统被广泛用于硅晶圆制作。报告指出，ASML是先进光刻系统和设备的领导者。凭借对先进EUV技术和基于高价值的服务模式（包括生产力和性能升级）大量投资，ASML有望超越其长期发展预测

韩国光刻胶供应商东进世美肯(DongjinSemichem)表示，近日通过了三星电子的EUV光刻胶可靠性测试（合格）。这款光刻胶为双方合作研发，打破韩国EUV光刻胶完全依赖海外供应商的局面，最快有望明年上半年向产线批量供应。据ETNews报道，业内人士表示，“东进世美肯在其位于京畿道的华城工厂开发了EUV光刻胶，并在三星电子的华城EUV生产线进行了测试，最终获得了资格。”并补充道：“两家公司的合作

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得进展。中国科学院消息显示，微电子所研究员韦亚一课题组与北京理工大学教授马旭课题组合作，提出了一种基于遗传算法的改进型掩模吸收层图形的优化算法。据介绍，该算法采用基于光刻图像归一化对数斜率和图形边缘误差为基础的评价函数，采用自适应编码和逐次逼近的修正策略，获得了更高的修正效率和补偿精度。算法的有效应性通过对比不同掩模

几家供应商正在推出下一代检测系统和软件，以定位极紫外（EUV）光刻机工艺引起的芯片缺陷问题。每种缺陷检测技术都涉及到各种权衡，但由于EUV引起的随机缺陷最终会影响芯片的性能，在晶圆厂里使用一项或多项检测技术是非常必要的。EUV光刻用于晶圆厂的芯片生产，它使用一个巨大的扫描仪在高级节点上对芯片的微小特征进行图案化，在操作中，EUV的扫描仪产生光子，最终与晶圆上的光敏材料光刻胶相互作用，以形成精确的特

IT之家5月15日消息 目前最前沿的手机、电脑芯片多使用EUV极紫外光进行刻蚀，但是这种光线难以被反射和折射，制造过程中损耗率非常大。根据外媒TheElec消息，ASML将于今年开始为光刻机提供新型EUV防护膜，透光率可达90.6%，目前即将开始生产。外媒表示，此种防护膜主要用于安装在EUV光路和晶圆制造空间之间，用于防尘。此前的防护膜透光率仅有78%，然而一片的价格高达26000美元（

存储芯片厂商SK海力士2月1日宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工，SK海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间，花费了3.5万亿韩元（约合31亿美元）建成了这座芯片工厂，工厂长336米，宽163米，高105米，相当于一座37层公寓的高度，是SK海力士目前最大的芯片工厂。SK集团董事长崔泰源在颁奖典礼上称，建造新工厂的决定在两年前是十分大