感谢IT之家网友乌蝇哥的左手、我抢了台、软媒新友2xrpri的线索投递！IT之家5月24日消息，据路透社报道，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试。三名知情人士表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。报道称，这些问题影响到了三星的HBM3芯片，该芯片是目前AIGPU最常用的第四代HBM标准。问题还影响了第五代HBM3E芯片。三星在一份声明中表示，HBM是一款定制内存产品，
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三星否认将 MR-MUF 堆叠方案引入 HBM 生产，称现有 TC-NCF 方案效果良好
感谢IT之家网友lemon_meta、华南吴彦祖的线索投递！IT之家3月14日消息，据韩媒NEWSIS报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用MR-RUF方式生产HBM内存。HBM由多层DRAM堆叠而成，目前连接各层DRAM的键合工艺主要有两个流派：SK海力士使用的MR-RUF和三星使用的TC-NCF。MR-RUF即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙147 0 2024-03-14 14:33
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消息称 JEDEC 有望放宽 HBM4 高度限制，内存厂商无须被迫转向混合键合
IT之家3月12日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会有望放宽对HBM4内存的高度限制，内存厂商无需被迫转向混合键合。作为对DRAM进行3D堆叠的产品，z轴封装高度限制对HBM内存有着很大影响。目前HBM内存最大DRAM堆叠层数为12层，允许的最大厚度为720微米（IT之家注：微米即µm，10-6米）。在3D堆叠技术方面，目前SK海力士在HBM上采用MR-R169 0 2024-03-12 11:30
