IT之家11月12日消息，韩媒MK昨日（11月11日）发布博文，报道称三星已着手为微软和Meta两家公司，供应定制的HBM4内存。高带宽内存（HBM）是一种新型计算机内存接口，旨在提供高带宽和低能耗，采用3D堆叠的同步动态随机存取内存（SDRAM）技术，能够在堆叠内部和堆叠之间快速传输数据。消息称从HBM4开始，不仅进一步提升存储特性，还会针对客户的要求，定制多种运算模式，因此被称为“计算内存”（

IT之家11月4日消息，据路透社今日报道，韩国SK集团会长崔泰源表示，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。今年7月，有消息称英伟达、台积电和S

IT之家10月22日消息，韩媒ZDNETKorea当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出1cnm（第6代10nm级）DRAM内存GoodDie良品晶粒，公司内部对此给予积极评价。不过三星的1cnmDRAM量产开发尚需一段时日，首批产品良率不足一成。产能方面，三星电子计划在今年底前建成第一条1cnmDRAM内存量产线。▲三星电子HBM内存参考IT之家以往报道，三星电子下代HBM内存HBM4预计将

IT之家9月10日消息，Rambus公司今天（9月10日）发布新闻稿，宣布推出业内首款HBM4内存控制器IP，为HBM4内存提供各种先进的特性集，助力设计人员应对下一代AI加速器及图形处理单元（GPU）。IT之家援引官方新闻稿，Rambus公司的HBM4控制器IP 不仅支持JEDEC规范中的6.4Gbps传输速率，还能支持最高10Gbps的数据传输速率，为每个内存设备提供2.56太字节每

IT之家8月26日消息，韩媒ZDNetKorea报道称，SK海力士将于2024年内先后流片为英伟达和AMD两大客户开发的HBM4内存。消息人士向韩媒表示，SK海力士已为这两家主要HBM内存客户组建了HBM4内存开发团队。英伟达用HBM4将率先于今年10月进行流片，而向AMD供应的HBM4也将在今年底流片。报道还表示，虽然三星电子计划在HBM4内存上直接应用1cnmDRAM以提升能效竞争力，但SK海

IT之家8月19日消息，韩媒TheElec当地时间本月16日报道称，三星电子将于今年底启动下代HBM4内存的流片（IT之家注：Tape-out），为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。考虑到从流片到测试产品的推出还需要3到4个月的时间，三星电子的HBM412H样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺，改进后的样品将向主要客户出样。▲ 三星电子HBM产

IT之家7月17日消息，《韩国经济日报》（Hankyung）表示，SK海力士将采用台积电N5工艺版基础裸片（BaseDie）构建HBM4内存。新一代HBM内存HBM4的JEDEC标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK海力士的首批HBM4产品（12层堆叠版）有望于2025年下半年推出。SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。而台积电在2024年

感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家7月16日消息，《韩国经济新闻》(hankyung)昨日报道称，三星电子已决定在下代HBM内存——HBM4中采用自家4nm工艺打造逻辑芯片。IT之家注：此处逻辑芯片指LogicDie，SK海力士称基础裸片BaseDie，美光称接口芯片InterfaceDie。结构参见美光下图：层层堆叠的DRAMDie内存芯片为HBM内存提供容量；而LogicDie则是D

IT之家7月10日消息，综合韩媒TheElec和ZDNETKorea报道，三星电子在昨日举行的三星晶圆代工论坛&SAFE论坛2024韩国首尔场上表示，定制HBM预计在HBM4世代成为现实。▲ 会议现场。图源三星电子新闻稿三星电子存储部门新事业企划组组长ChoiJang-seok称：“我们看到HBM架构正在发生巨大变化。我们的许多客户正在从传统的通用HBM转向定制产品。”他补充道：

IT之家5月17日消息，韩媒ZDNetKorea今日报道称，三星电子考虑在HBM4内存上使用1cnm制程（第六代10+nm级）DRAM裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。三星电子代表今年早些时候在行业会议Memcon2024上表示，该企业计划在今年底前实现1cnm制程的量产；而在HBM4方面，三星电子预计在明年完成该新型AI内存的开发，2026年实现量产。在目前已量产的HBM3E上，三星并未像

IT之家5月6日消息，据韩媒TheElec和《首尔经济新闻》报道，SK海力士在5月2日举行的“AI时代，SK海力士蓝图和战略”记者招待会上表示，其HBM4内存的量产时间已提前到2025年。具体来说，SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士上月同台积电达成HBM基础裸片（BaseDie）合作谅解备忘录，当时定于2

IT之家4月23日消息，韩媒TheElec在报道中表示，预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片（BaseDie）部分采用台积电7nm制程。IT之家注：目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签署了HBM内存合作谅解备忘录，双方的首个合作重点就

IT之家3月12日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会有望放宽对HBM4内存的高度限制，内存厂商无需被迫转向混合键合。作为对DRAM进行3D堆叠的产品，z轴封装高度限制对HBM内存有着很大影响。目前HBM内存最大DRAM堆叠层数为12层，允许的最大厚度为720微米（IT之家注：微米即µm，10-6米）。在3D堆叠技术方面，目前SK海力士在HBM上采用MR-R

IT之家2月13日消息，随着人工智能(AI)在2023年的爆发式增长，对AI芯片尤其是HBM内存的需求激增，导致HBM芯片的平均售价暴涨500%。这对主要生产商美光、三星和SK海力士来说无疑是利好消息。据IT之家了解，HBM芯片是AIGPU的重要组成部分，例如AMD和NVIDIA的旗舰AIGPU都采用了最先进的HBM内存。市场调研公司YoleGroup预测，从2023年到2028年，HBM的供应将

感谢IT之家网友乌蝇哥的左手、西窗旧事的线索投递！IT之家2月9日消息，据韩媒매일경제近日报道，SK海力士已制定了OneTeam战略，将与台积电建立AI半导体同盟，对抗三星电子在AI半导体领域交钥匙方案的威胁。据了解，SK海力士这一战略的内容主要包括与台积电一同开发下一代HBM内存——HBM4。根据IT之家早前报道，SK海力士计划于2026年前实现HBM4量产。在HBM4世代，HBM内存的逻辑芯片

感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家2月4日消息，随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)行业的飞速发展，对内存带宽的要求也水涨船高。目前拥有9.6GT/s数据传输速率的HBM3E内存刚刚实现量产，但下一代HBM4内存已经箭在弦上，预计在两年内与大家见面。图源：AMD根据BusinessKorea报道，SK海力士公司副总裁Chun-hwanKim在SEMICONKorea2024大会上

感谢IT之家网友OC_Formula的线索投递！IT之家10月15日消息，据三星官方消息，面向高性能计算（HPC）的HBM内存迎来新进展，9.8Gbps的HBM3E产品已开始向客户提供样品，而HBM4内存预计 2025年推出。虽然目前还没有关于HBM4的正式规范，但台积电在2023OIP论坛阿姆斯特丹厂上给出了部分制定中的标准。台积电称，未来HBM4内存的接口位宽将实现翻倍，达到2048