标签文章：#内存#
-
AI 潮影响明显，TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
IT之家5月7日消息，TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响，推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言，TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%，现估计为13~18%；而在NAND闪存方面，原预估上涨13~18%，新预估为15~20%，仅eMMC/UFS涨幅较低，为10%。▲图源&nbs
阅读更多Echo 2024.05.07 15:49 25浏览 0回复
-
SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品
IT之家5月6日消息，据韩媒TheElec和《首尔经济新闻》报道，SK海力士在5月2日举行的“AI时代，SK海力士蓝图和战略”记者招待会上表示，其HBM4内存的量产时间已提前到2025年。具体来说，SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士上月同台积电达成HBM基础裸片（BaseDie）合作谅解备忘录，当时定于2
阅读更多 -
TrendForce：2025 年 HBM 内存价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成
IT之家5月6日消息，市场分析机构TrendForce集邦咨询今日发布研报，表示2025年HBM内存市场将继续繁荣，产能和市场份额都将进一步提升。研报指出，2023年HBM在整体DRAM内存中的位元产出占比仅有2%，今年有望成长到5%，明年更将跨越10%节点；而在市场份额方面，去年HBM占整体DRAM的8%，今年将达21%，2025年有望成长到超过三成。▲图源 TrendForce集邦咨
阅读更多 -
现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德逝世，享年 91 岁
IT之家5月6日消息，据美媒TheJournalNews讣告版，现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德（RobertDennard）于2024年4月23日逝世，享年91岁。罗伯特・登纳德于1932年9月5日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于1958年获得卡内基理工学院（IT之家注：现卡内基梅隆大学）电气工程博士学位，并加入IBM担任研究员。在1960年代，计算机对内存的需求日益提升，与此同时流行的磁芯
阅读更多 -
供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%，下半年涨幅将趋缓
感谢IT之家网友海绵宝宝捡的、gggxbbb的线索投递！IT之家5月5日消息，据“华尔街见闻”今日引述供应链消息，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，据称均有15%-20%的提价。供应链人士表示，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。据IT之家上月报道，SK海力士曾在今年一季度财报电话会议上表示
阅读更多 -
最高 8000 MT/s，美光成首家为 AI 数据中心提供高端 DDR5 RDIMM 内存的制造商
IT之家5月4日消息，美光近日发布新闻稿，宣布成为首家为AI数据中心提供高端DDR5RDIMM内存的制造商，运行速度高达8000MT/s。美光在新闻稿中表示该公司于2017年验证并交付了高容量单片32GbDRAM芯片128GBDDR5RDIMM内存，速度达到 5600MT/s，处于行业领先地位。IT之家注：128GBDDR5RDIMM内存采用美光业界领先的1β(1-beta)技术，相比较
阅读更多 -
三星：生成式 AI 带动服务器固态硬盘销量大增，HBM 需求旺盛致通用内存吃紧
IT之家4月30日消息，在今日举行的三星电子一季度财报电话会议上，三星表示生成式AI的流行对于其存储业务的多个品类都带来了明显影响。对于NAND、固态硬盘业务而言，生成式AI的需求提升了IT企业对服务器的需求，进而导致各大服务器业者对企业级存储产品的采购力度大幅提升，最终加速固态硬盘市场的增长。三星预估AI热潮将推动其今年企业级固态硬盘销售同比增长80%。这一趋势在性价比更佳的QLC产品上更为明显
阅读更多 -
三星电子：4nm 节点良率趋于稳定，二季度开始量产 HBM3E 12H 内存
IT之家4月30日消息，三星电子在今日公布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望，IT之家整理如下：系统LSI三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟，但晶圆厂的运营效率有一定提升。技术方面，三星称其3nm和2nm节点技术发展顺利，将在本季度完成2nm设计基础设施的开发；而在4nm节点方面，良率渐趋稳定。三星正就适用于3DIC的4nm技术进行准本，同时计划开发适用于14nm、8nm
阅读更多 -
消息称 SK 海力士拟新建 DRAM 工厂，对在海外其他地区建厂持开放态度
IT之家4月29日消息，据《首尔经济日报》今日引述业内人士消息称，除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。▲图源SK海力士，下同据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃
阅读更多 -
SMART Modular 推出 CXL 内存附加卡，可为系统额外提供至高 4TB 内存
IT之家4月25日消息，商用存储模组厂商SMARTModular近日宣布推出两款CXL内存附加卡，可为系统额外提供至高4TB内存。目前几大内存原厂推出的CXL内存均采用封装为整体模组的形式；而SMARTModular的产品为开放式，用户既可以选择预装内存的版本，也可购买不带内存的裸卡，根据具体需求自行配置满足行业标准的DDR5RDIMM内存条，实现容量定制。两款内存附加卡均采用FHHL（全高半长）
阅读更多 -
跟随三星、美光步伐，SK 海力士将在年内推出 1bnm 32Gb DDR5 内存颗粒
IT之家4月25日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士在今日的2024年一季度财报电话会议上表示将在年内推出1bnm32GbDDR5内存颗粒。32Gb颗粒意味着消费级的UDIMM和SODIMM可实现64GB单条容量；企业级的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工艺3D堆叠的情况下，达到单模组128GB，满足服务器对大内存的需求。SK海力士于2023年5月宣布完成其1bnm内存的开发。该制程采用了H
阅读更多 -
SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成，下半年整体内存供应可能面临不足
IT之家4月25日消息，据韩媒Viva100报道，SK海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。目前三星电子已发布其12HiHBM3E产品，该内存单堆栈容量达36GB，目前已开始向客户出样，预计下半年大规模量产。SK海力士表示，今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E
阅读更多 -
美光 LPCAMM2 内存模组实拍：16GB LPDDR5X-7500 规格、用户可更换
IT之家4月24日消息，机械革命产品经理 @来听听阿璞怎么说今日展示了美光LPCAMM2内存模组样品的实拍图，并与常规的DDR5SO-DIMM内存模组作出对比。标签信息显示这是一块来自美光的16GB1Rx16LPDDR5X-7500内存。IT之家此前报道，美光英睿达LPCAMM2内存将于今年上半年推出，笔记本电脑用户可自行升级，容量从16GB到64GB不等。▲ 联想
阅读更多 -
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
IT之家4月23日消息，韩媒TheElec在报道中表示，预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片（BaseDie）部分采用台积电7nm制程。IT之家注：目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签署了HBM内存合作谅解备忘录，双方的首个合作重点就
阅读更多 -
三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产，将推整体 HBM 定制服务
IT之家4月19日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示，其前不久成功采用TC-NCF键合工艺推出了12层堆叠的36GBHB
阅读更多 -
美光有望获美国 61 亿美元芯片补贴，预计下周揭晓
IT之家4月18日消息，据美联社报道，美国参议院多数党领袖查克・舒默（ChuckSchumer）表示，美国政府将根据《芯片法案》向美光提供61亿美元（IT之家备注：当前约441.64亿元人民币）的补贴。消息人士向彭博社透露，美国总统计划于下周前往纽约州锡拉丘兹地区，正式宣布向美光的补贴计划。除直接资金支持外，美光有望同英特尔和台积电一样，根据法案获得一笔贷款。美光在2022年宣布，拟于未来20年投
阅读更多 -
消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
IT之家4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子方面曾考虑在美国建设先进DRAM内存晶圆厂，但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美国至多64亿美元（IT之家备注：当前约464亿元人民币）补贴，在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。报道称，三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRA
阅读更多 -
三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
IT之家4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps速率的LPDDR5XDRAM内存。参考IT之家以往报道，目前其他厂商的LPDDR5XDRAM内存最高速率为9.6Gbps。三星表示，这款10.7GbpsLPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容
阅读更多 -
美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，美光于10日向美国证券交易委员会SEC递交8-K重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度DRAM内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据TrendForce集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性
阅读更多 -
海盗船推出其首款面向工作站的 DDR5 RDIMM 内存，可选 6400CL32
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，海盗船宣布进军工作站DDR5内存市场，推出WSDDR5ECCRDIMM系列内存。该系列内存以每份4或8根的套条形式提供，兼容英特尔至强W-3400/2400系列和AMD锐龙Threadripper7000(PRO)系列处理器，套条总容量最大256GB（8*32GB）。海盗船表示，该系列内存经过了严格的测试挑选，在适应严苛工作负载的前提下
阅读更多