Echo 关注TA 大家好,我是Echo! 普罗旺斯 自由职业 写了282,870,370字 最近回复 小细节 在文章《长安 UNI 新车曝光:代号 C928,预计下半年上市》中回复: CS75 PLUS算是我今年最期待的车型了 想念一个人 在文章《长安 UNI 新车曝光:代号 C928,预计下半年上市》中回复: 长安CS75P还是很不错啊,身边的人评价都可以,我对新车很有信心 蝴蝶的翅膀 在文章《长安 UNI 新车曝光:代号 C928,预计下半年上市》中回复: cs75plus口碑怎么样,网上随便一搜就能搜到,不用多说,看新车表现吧 飞天小牛 在文章《长安 UNI 新车曝光:代号 C928,预计下半年上市》中回复: 如果还是现在的价格,必入一辆! 幸福小胖珠 在文章《长安 UNI 新车曝光:代号 C928,预计下半年上市》中回复: 我买车主要看口碑,cs75plus口碑不错,新我肯定会去试驾的 a崽 在文章《比亚迪腾势 N7 车型推出限时优惠政策,2000 元可抵 5.2 万元》中回复: 哇!现在这个价格太顶了吧!赶紧入手! 野人霸霸 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 终于看到关注的车型,改款了,这波颜值,是我喜欢的,如果上市后的价格给力,就冲了,腾势这波改款真棒! 我是萌萌萌萌哒 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 从去年就开始关注,终于等到改款了,眼前一亮,颜值不错,期待上市价格 海绵小宝宝P 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 希望将来公布的价格能给力一点,这次改款已经非常让我心动了,腾势还是懂车主的喜好的! Wmx0819 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 改的好,改的秒,改的呱呱呱。N7大麦大麦大麦
标签 > 标签文章:#内存# (共有762文章) 消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力 IT之家5月17日消息,韩媒ZDNetKorea今日报道称,三星电子考虑在HBM4内存上使用1cnm制程(第六代10+nm级)DRAM裸片,以提升其产品在能效等方面的竞争力。三星电子代表今年早些时候在行业会议Memcon2024上表示,该企业计划在今年底前实现1cnm制程的量产;而在HBM4方面,三星电子预计在明年完成该新型AI内存的开发,2026年实现量产。在目前已量产的HBM3E上,三星并未像 2024年05月17日 14:42 37 0 江波龙展示 FORESEE LPCAMM2 笔记本内存:最高 64GB、7500MT/s IT之家5月16日消息,雷克沙品牌母公司江波龙发布消息,在CFMS2024上展示了内存新形态——FORESEELPCAMM2。FORESEELPCAMM2搭载了LPDDR5/5x颗粒,可兼容315ball和496ball设计,支持7500MT/s及以上的频率,产品容量可提供16GB、32GB、64GB多种选择。在产品工艺方面,FORESEELPCAMM2采用全新的设计架构,将4颗x32LPDDR5 2024年05月16日 17:56 34 0 芝奇推出 Ripjaws M5“焰刃 RGB”内存条,至高可选 DDR5-6400 CL32-39-39 IT之家5月16日消息,芝奇今日推出RipjawsM5“焰刃RGB”DDR5内存条。与此前推出的RipjawsS5“焰刃”不同,RipjawsM5系列内存采用了家族式的流线型外观,可选太空黑、初雪白双色。芝奇宣称RipjawsM5系列内存采用“高质量IC颗粒”打造,辅以烤漆外观的铝合金散热马甲,在视觉上展现呼应产品性能的速度感。RipjawsM5系列内存支持英特尔XMP3.0技术,搭配通过QVL认 2024年05月16日 17:08 33 0 博帝 Patriot 与微星合作推出 Viper Xtreme 5 RGB DDR5 MPOWER 系列内存 IT之家5月14日消息,美商博帝科技 Patriot宣布与微星合作推出 ViperXtreme5RGBDDR5MPOWER系列内存,最高可选48GBDDR58000MT/s套条。这款由Patriot旗下品牌Viper与微星MPOWER联名推出的内存搭载可自定义的RGB灯条,铝合金散热马甲,设计风格与微星 Z790MPOWER主板匹配。据了解,该款内存提供32GB(16 2024年05月14日 23:06 40 0 SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存 IT之家5月14日消息,据韩媒Hankyung报道,两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM,HBM内存坐拥更高单价,不过由于TSV工艺良率不佳等原因,对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下,三星电子代表预计,不仅H 2024年05月14日 16:41 41 0 SK 海力士 HBM4E 内存有望采用 1c nm 32Gb DRAM 裸片,进一步提升容量 IT之家5月14日消息,SK海力士在2024年度IEEEIMW国际存储研讨会上不仅分享了HBM4E内存开发周期将缩短到一年的预期,也介绍了该内存的更多细节。SK海力士技术人员KimKwiWook表示,这家企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存。▲ SK海力士HBM3E内存背面图事实上,三大内存厂商目前均尚未量产1cnm(第六代10+nm级)制程的DRAM内存颗粒 2024年05月14日 14:10 37 0 消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存,带动市场价格上行 IT之家5月13日消息,据台媒《经济日报》报道,SK海力士、三星电子,将从下半年停止向市场供应DDR3内存,带动近期DDR3DRAM价格上涨,最高涨幅达两成。DDR3目前已成为利基产品,在机顶盒、Wi-Fi路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称,三星电子已向客户通知本季度末停止供应DDR3;而SK海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换,逐步淡出了DDR3的制造。另一家DRAM内存大 2024年05月13日 11:19 41 0 消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化,新团队专责 HBM4 开发 IT之家5月10日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造,以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言,由现有DRAM设计团队负责HBM3E内存的后续研发工作,而三月成立的HBM产能质量提升团队则专注开发下一代HBM内存——HBM4。新设立的HBM专门开发团队由三星电子DRAM开发副总裁HwangSang-joon负责,直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工 2024年05月10日 14:04 37 0 HBM3E 订单争夺战继续,三大内存企业瞄准博通需求 IT之家5月9日消息,据韩媒ZDNetKorea报道,继争夺英伟达及AMD的AIGPU/加速器用HBM3E内存合同后,三星电子、SK海力士、美光不约而同地盯上了芯片设计大厂博通的HBM3E订单。博通去年实现了299.5亿美元(IT之家备注:当前约2165.39亿元人民币)的半导体相关收入,在无厂设计企业中排到第三,仅次于英伟达和高通。博通业务中与HBM内存相关的主要是交换机芯片和ASIC设计:至迟 2024年05月09日 17:23 32 0 消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队,目标重建优势 IT之家5月9日消息,韩媒Sedaily援引行业消息人士的话称,三星电子近日决定组建1dnmDRAM内存的技术开发团队。目前DRAM内存行业的最新制程是10+nm系列的第五代工艺,即1bnm;三大内存厂商——三星电子、SK海力士和美光的下一代DRAM工艺1cnm将于今年三季度至明年投入量产;而1dnm工艺又在1cnm之后,预计量产时间晚于2026年。三星电子在开发每代DRAM工艺时,一般直到接近量 2024年05月09日 14:30 41 0 AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测 IT之家5月7日消息,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估为15~20%,仅eMMC/UFS涨幅较低,为10%。▲图源&nbs 2024年05月07日 15:49 46 0 SK 海力士加速 HBM4 内存量产,目标 2025 下半年推出首批产品 IT之家5月6日消息,据韩媒TheElec和《首尔经济新闻》报道,SK海力士在5月2日举行的“AI时代,SK海力士蓝图和战略”记者招待会上表示,其HBM4内存的量产时间已提前到2025年。具体来说,SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品,而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士上月同台积电达成HBM基础裸片(BaseDie)合作谅解备忘录,当时定于2 2024年05月07日 00:16 52 0 TrendForce:2025 年 HBM 内存价格调涨约 5~10%,占 DRAM 总产值预估将逾三成 IT之家5月6日消息,市场分析机构TrendForce集邦咨询今日发布研报,表示2025年HBM内存市场将继续繁荣,产能和市场份额都将进一步提升。研报指出,2023年HBM在整体DRAM内存中的位元产出占比仅有2%,今年有望成长到5%,明年更将跨越10%节点;而在市场份额方面,去年HBM占整体DRAM的8%,今年将达21%,2025年有望成长到超过三成。▲图源 TrendForce集邦咨 2024年05月07日 00:15 25 0 现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德逝世,享年 91 岁 IT之家5月6日消息,据美媒TheJournalNews讣告版,现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德(RobertDennard)于2024年4月23日逝世,享年91岁。罗伯特・登纳德于1932年9月5日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于1958年获得卡内基理工学院(IT之家注:现卡内基梅隆大学)电气工程博士学位,并加入IBM担任研究员。在1960年代,计算机对内存的需求日益提升,与此同时流行的磁芯 2024年05月07日 00:12 20 0 供应链消息称 SK 海力士内存产品提价约 15%-25%,下半年涨幅将趋缓 感谢IT之家网友海绵宝宝捡的、gggxbbb的线索投递!IT之家5月5日消息,据“华尔街见闻”今日引述供应链消息,SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品,据称均有15%-20%的提价。供应链人士表示,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。据IT之家上月报道,SK海力士曾在今年一季度财报电话会议上表示 2024年05月05日 21:59 36 0 最高 8000 MT/s,美光成首家为 AI 数据中心提供高端 DDR5 RDIMM 内存的制造商 IT之家5月4日消息,美光近日发布新闻稿,宣布成为首家为AI数据中心提供高端DDR5RDIMM内存的制造商,运行速度高达8000MT/s。美光在新闻稿中表示该公司于2017年验证并交付了高容量单片32GbDRAM芯片128GBDDR5RDIMM内存,速度达到 5600MT/s,处于行业领先地位。IT之家注:128GBDDR5RDIMM内存采用美光业界领先的1β(1-beta)技术,相比较 2024年05月04日 21:58 27 0 三星:生成式 AI 带动服务器固态硬盘销量大增,HBM 需求旺盛致通用内存吃紧 IT之家4月30日消息,在今日举行的三星电子一季度财报电话会议上,三星表示生成式AI的流行对于其存储业务的多个品类都带来了明显影响。对于NAND、固态硬盘业务而言,生成式AI的需求提升了IT企业对服务器的需求,进而导致各大服务器业者对企业级存储产品的采购力度大幅提升,最终加速固态硬盘市场的增长。三星预估AI热潮将推动其今年企业级固态硬盘销售同比增长80%。这一趋势在性价比更佳的QLC产品上更为明显 2024年04月30日 18:11 16 0 三星电子:4nm 节点良率趋于稳定,二季度开始量产 HBM3E 12H 内存 IT之家4月30日消息,三星电子在今日公布的一季度财报中分享了其半导体相关业务的技术信息和未来展望,IT之家整理如下:系统LSI三星表示整体晶圆代工业务的复苏相对延迟,但晶圆厂的运营效率有一定提升。技术方面,三星称其3nm和2nm节点技术发展顺利,将在本季度完成2nm设计基础设施的开发;而在4nm节点方面,良率渐趋稳定。三星正就适用于3DIC的4nm技术进行准本,同时计划开发适用于14nm、8nm 2024年04月30日 10:42 10 0 消息称 SK 海力士拟新建 DRAM 工厂,对在海外其他地区建厂持开放态度 IT之家4月29日消息,据《首尔经济日报》今日引述业内人士消息称,除了最近宣布的M15X计划之外,SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂,对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。▲图源SK海力士,下同据报道,该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产,预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示,“我们了解到,他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度,也对在美国乃 2024年04月29日 08:56 62 0 SMART Modular 推出 CXL 内存附加卡,可为系统额外提供至高 4TB 内存 IT之家4月25日消息,商用存储模组厂商SMARTModular近日宣布推出两款CXL内存附加卡,可为系统额外提供至高4TB内存。目前几大内存原厂推出的CXL内存均采用封装为整体模组的形式;而SMARTModular的产品为开放式,用户既可以选择预装内存的版本,也可购买不带内存的裸卡,根据具体需求自行配置满足行业标准的DDR5RDIMM内存条,实现容量定制。两款内存附加卡均采用FHHL(全高半长) 2024年04月25日 15:32 58 0
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