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  • 瑞萨宣布率先推出 DDR5 MRDIMM 12800MT/s 完整内存接口芯片组

    瑞萨宣布率先推出 DDR5 MRDIMM 12800MT/s 完整内存接口芯片组 IT之家11月21日消息，日本瑞萨电子昨日宣布率先推出面向第二代DDR5MRDIMM（IT之家注：12800MT/s）的完整内存接口芯片组解决方案，包含新款MRCD、MDB、PMIC芯片和配套的温度传感器与SPD集线器。瑞萨表示，AI、HPC和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5MRDIMM。与目前8800MT/s的初代产品相比，下一代DDR5MRDIMM可实现35%的内

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    2024-11-21 09:21

  • 英特尔介绍 MRDIMM 内存：额外接口芯片实现近 40% 峰值带宽提升

    英特尔介绍 MRDIMM 内存：额外接口芯片实现近 40% 峰值带宽提升 IT之家11月18日消息，英特尔昨日发文介绍了其至强6性能核"GraniteRapids"处理器支持的新型DDR5MRDIMM（IT之家注：多路复用双列直插式内存模块）背后的故事。英特尔DCAI事业部内存开发资深首席工程师GeorgeVergis表示，大多数DIMM都拥有2个Rank（阵列）以实现性能和容量间的平衡。而在服务器处理器支持的传统RDIMM上，虽然可以让独立存储和数据访问发生在多个Ra

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    2024-11-18 10:27

  • 消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

    消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙 IT之家11月14日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子、SK海力士、美光均对在下代HBM4内存中采用无助焊剂键合（FluxlessBonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。SK海力士此前已宣布了16层堆叠HBM3E，而从整体来看HBM内存将于HBM4开始正式转向16层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟，传统有凸块方案预计仍将是HBM416Hi的主流键合技术。更多的DRAMDie层数意

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    2024-11-14 11:06

  • 瞄准 2025 年量产，消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存

    瞄准 2025 年量产，消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存 IT之家11月12日消息，韩媒MK昨日（11月11日）发布博文，报道称三星已着手为微软和Meta两家公司，供应定制的HBM4内存。高带宽内存（HBM）是一种新型计算机内存接口，旨在提供高带宽和低能耗，采用3D堆叠的同步动态随机存取内存（SDRAM）技术，能够在堆叠内部和堆叠之间快速传输数据。消息称从HBM4开始，不仅进一步提升存储特性，还会针对客户的要求，定制多种运算模式，因此被称为“计算内存”（

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    2024-11-12 13:24

  • 消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆

    消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆 感谢IT之家网友HH_KK的线索投递！IT之家11月8日消息，韩媒ZDNETKorea昨日报道称，三星电子内部已于三季度决定调整平泽P4制造综合体一期（Phase1）的产能分配，从纯NAND调整为NAND+DRAM。这也可从该生产线的内部代号名称更改中看出来：该产线原名P4F，尾部的F即指Flash闪存；而现名是P4H，H是Hybrid的简写，显示产线不只支持一个大类的半导体工艺。▲三星平泽园区平

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    2024-11-08 17:09

  • SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存，明年初出样

    SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存，明年初出样 感谢IT之家网友乌蝇哥的左手、HH_KK、西窗旧事的线索投递！IT之家11月4日消息，SK海力士CEO郭鲁正今日在韩国首尔举行的SKAISummit2024上介绍了全球首款16-HighHBM3E内存。该产品可实现48GB的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为16层堆叠HBM内存直到下一世代HBM4才会正式商用，但参考内存领域IP企业Rambus的文章，HBM3E也有扩展到16层的潜力。此外I

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    2024-11-04 16:06

  • 三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化

    三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化 IT之家11月1日消息，三星电子存储器业务部副总裁KimJae-june在公司2024Q3电话财报会议上确认三星正在为多个主要客户的下代AIGPU准备优化改进版的HBM3E内存。IT之家此前报道曾提到，韩媒ZDNETKorea认为三星电子HBM3E业务受到14nm级DRAM的拖累。这位高管表示三星的改进款HBM3E内存计划在明年上半年的某个时间点进入量产阶段，具体日程目前正与客户进行谈判。这批改进

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    2024-11-01 16:09

  • CL36 时序：英睿达 Pro 系列 DDR5 6000 内存 32G 套装 479 元蹲点抢

    CL36 时序：英睿达 Pro 系列 DDR5 6000 内存 32G 套装 479 元蹲点抢 英睿达Pro系列DDR56000台式机内存条32GB（16GB*2）套装发售于 2024年 2月，首发价849元。京东 11.11大促期间，今晚20点秒杀价为499元，叠加20元补贴券，仅需479元：满200-20元补贴券：点此查看。京东英睿达Pro内存条套装32GBDDR56000CL36秒杀价479元直达链接另外，即日起京东可领至高11111元无门槛红包，再省一笔

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    2024-10-31 18:00

  • TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

    TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺 IT之家10月30日消息，分析机构TrendForce集邦咨询表示，三大HBM内存巨头在对堆叠高度限制、I/O密度、散热等要求的考量下，已确定于HBM520hi（IT之家注：即20层堆叠）世代使用混合键合HybridBonding技术。该机构认为，在HBM4、HBM4e两代产品上SK海力士、三星电子、美光三家企业均会推出12hi、16hi版本以满足对不同容量的需求，其中12hi产品将继续使用现有的

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    2024-10-30 18:18

  • 消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

    消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构 IT之家10月29日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代V-NAND堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的0anmDRAM则将采用VCT结构。三星目前最先进的NAND和DRAM工艺分别为第9代V-NAND和1bnm（12纳米级）DRAM。报道表示三星第10代（即下代）V-NAND将被命名为BV（BondingVerti

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    2024-10-29 14:48

  • 小米王腾：未来旗舰机应该都会取消 8GB RAM，核心是端侧 AI 大模型占用更多

    小米王腾：未来旗舰机应该都会取消 8GB RAM，核心是端侧 AI 大模型占用更多 IT之家10月28日消息，小米中国区市场部副总经理、Redmi品牌总经理王腾今天发布微博，认为未来的旗舰机应该都会取消8GBRAM，核心是端侧AI大模型对内存的占用更多。考虑到未来几年AI能力在手机上的快速应用和普及，建议大家资金允许的情况下选择更大RAM 的版本。参考IT之家昨日报道，小米创办人，董事长兼 CEO 雷军昨日发文称小米 15 系列“

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    2024-10-28 15:09

  • 突破 DDR5-12000！4 位超频好手缔造佳绩，解锁内存超频里程碑

    突破 DDR5-12000！4 位超频好手缔造佳绩，解锁内存超频里程碑 感谢IT之家网友凌晨的鱼的线索投递！IT之家10月26日消息，“GSKILL芝奇国际”官方发布博文，宣布4位超频玩家使用芝奇DDR5内存，成功突破DDR5-12000+超频纪录里程碑。4位超频玩家使用芝奇DDR5内存，搭配最新英特尔酷睿Ultra9285K处理器及华硕ROGMAXIMUSZ890APEX主板，运用液态氮极限超频技术成功解锁该成就。IT之家附上这4位超频选手成绩如下，相关成绩已获得H

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    2024-10-26 09:12

  • 金士顿 Renegade DDR5 CUDIMM 内存成功超频至 12108MT/s，问鼎 HWBOT 第一

    金士顿 Renegade DDR5 CUDIMM 内存成功超频至 12108MT/s，问鼎 HWBOT 第一 IT之家10月25日消息，金士顿昨日宣布推出兼容英特尔酷睿Ultra200S桌面处理器的叛逆者RenegadeDDR5CUDIMM内存条，参数均为 8400MT/sCL40，价格暂未公布。刚刚，金士顿宣布其RenegadeDDR5CUDIMM内存成功在微星MEGZ890UNIFY-X平台上实现了 12,108MT/s的超频战绩，问鼎HWBOT第一。当然， CUDIMM

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    2024-10-25 14:42

  • 面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

    IT之家10月24日消息，据本月21日铠侠、南亚科技新闻稿，两家存储企业关于新型极低漏电流内存的联合研究论文将于今年12月7~11日在美国加州旧金山举行的2024IEEEIEDM 国际电子器件大会上发表。根据活动介绍，铠侠、南亚科技将在当地时间12月9日介绍全球首款4F2GAA氧化物半导体（Oxide-semiconductor）通道晶体管DRAM——OCTRAM。OCTRAM应属于一种

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    2024-10-24 16:12

  • 消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

    消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存 IT之家10月22日消息，韩媒ZDNETKorea当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出1cnm（第6代10nm级）DRAM内存GoodDie良品晶粒，公司内部对此给予积极评价。不过三星的1cnmDRAM量产开发尚需一段时日，首批产品良率不足一成。产能方面，三星电子计划在今年底前建成第一条1cnmDRAM内存量产线。▲三星电子HBM内存参考IT之家以往报道，三星电子下代HBM内存HBM4预计将

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    2024-10-22 15:45

  • 消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计

    消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计 IT之家10月17日消息，据韩媒ZDNETKorea当地时间15日报道，三星电子HBM3E产品迟迟未能完整通过最大需方英伟达认证并开始供货是因为受到该内存的基础14nm级DRAM的拖累。报道提到三星电子的36GB容量HBM3E12H内存可能直到2025年第2~3季度才能启动供应。▲基于三星12nm级DDR5DRAM的服务器内存条三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级（IT之家注：即1anm

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    2024-10-17 16:33

  • 迷你主机可用，美光英睿达 32G DDR5-5600 笔记本内存 505 元新低

    迷你主机可用，美光英睿达 32G DDR5-5600 笔记本内存 505 元新低 美光英睿达的单条32GB笔记本内存日常售价599元。京东 11.11大促期间，秒杀直降至538元，可用10元优惠券+20元平台补贴神券，PLUS下单再享9.5折，到手价仅需505.31元。京东英睿达32GBDDR55600频率笔记本内存条美光原厂颗粒券后505.31元领10元券48G单条秒杀价798.9元，享受相同优惠后到手价仅需764.91元。京东英睿达48GBDDR55600频率笔记

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    2024-10-15 13:33

  • TrendForce：2024 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持

    TrendForce：2024 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持 IT之家10月12日消息，根据TrendForce最新调查报告，2024年第三季度之前，消费型产品终端需求依然疲软，主要需求靠AI服务器支撑。然而，近期虽有服务器OEM维持拉货动能，但智能手机品牌仍在观望，而且PC端的LunarLake机种新机尚未上市，消费者同样在观望。TrendForce预估第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价估计上涨8~13%。IT之家

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    2024-10-12 23:18

  • 十铨推出 T-Force Xtreem CKD DDR5 游戏内存，最高超频至 9600 MHz

    十铨推出 T-Force Xtreem CKD DDR5 游戏内存，最高超频至 9600 MHz IT之家10月11日消息，科技媒体techpowerup今天（10月11日）发布博文，报道称十铨（TeamGroup）推出最新的T-ForceCKD（ClientClockDriver）DDR5游戏内存，具备卓越的超频性能，最高可以9600MHz。T-ForceCKDDDR5内存套装（2x24GB）在Gear2工作模式下为8200至9000MHz，在Gear4工作模式下最高可以超频到9600MHz

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    2024-10-11 17:57

  • 消息称笔记本电脑暂不会配备 10.7Gbps LPDDR5X 高速内存

    消息称笔记本电脑暂不会配备 10.7Gbps LPDDR5X 高速内存 IT之家10月10日消息，联想产品经理@思考未来啊今日表示，笔记本电脑上短期也不会见到这么高频率（指10.7Gbps）的LPDDR5X内存。三星电子今年4月17日宣布开发出最高传输速率可达10.7Gbps（IT之家注：严谨来说是10667Mbps）的LPDDR5XDRAM，这一内存基于先进的12纳米级制程芯片，功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。三星此后于7月16日宣布新型LPDDR

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    2024-10-10 14:06
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