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IT之家11月14日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子、SK海力士、美光均对在下代HBM4内存中采用无助焊剂键合（FluxlessBonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。SK海力士此前已宣布了16层堆叠HBM3E，而从整体来看HBM内存将于HBM4开始正式转向16层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟，传统有凸块方案预计仍将是HBM416Hi的主流键合技术。更多的DRAMDie层数意

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2024-11-14 11:06

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三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化

IT之家11月1日消息，三星电子存储器业务部副总裁KimJae-june在公司2024Q3电话财报会议上确认三星正在为多个主要客户的下代AIGPU准备优化改进版的HBM3E内存。IT之家此前报道曾提到，韩媒ZDNETKorea认为三星电子HBM3E业务受到14nm级DRAM的拖累。这位高管表示三星的改进款HBM3E内存计划在明年上半年的某个时间点进入量产阶段，具体日程目前正与客户进行谈判。这批改进

2024-11-01 16:09

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TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

IT之家10月30日消息，分析机构TrendForce集邦咨询表示，三大HBM内存巨头在对堆叠高度限制、I/O密度、散热等要求的考量下，已确定于HBM520hi（IT之家注：即20层堆叠）世代使用混合键合HybridBonding技术。该机构认为，在HBM4、HBM4e两代产品上SK海力士、三星电子、美光三家企业均会推出12hi、16hi版本以满足对不同容量的需求，其中12hi产品将继续使用现有的

2024-10-30 18:18

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消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减 HBM 内存产能规划

IT之家10月10日消息，据韩媒ZDNETKorea当地时间今日报道，行业消息称三星电子因向大客户英伟达供应HBM3E内存出现延迟，将2025年底的HBM产能预估下调至每月17万片晶圆。IT之家获悉，三星电子今年二季度设下的目标是到今年底HBM内存月产能达14万~15万片晶圆，到明年底进一步增至20万片，以回应主要对手SK海力士的增产计划。然而三星的HBM3E内存未能如期通过英伟达质量测试，三星电

2024-10-10 12:06

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创意电子：3nm HBM3E 内存控制器与 PHY IP 获云服务提供商数据中心应用

IT之家9月24日消息，创意电子GUC今日宣布其3nm工艺HBM3E内存控制器与物理层（PHY）IP已获业界重要CSP云服务提供商和多家HPC解决方案供应商采用，该ASIC预计将于今年流片，支持9.2GbpsHBM3E内存。IT之家注：创意电子是重要ASIC设计服务厂商之一，其最大股东（持股35%）和唯一晶圆代工厂商皆是台积电。台积电也是创意电子在先进制程和封装技术领域最重要的合作伙伴。创意电子的

2024-09-24 17:12

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消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产，利川 M10F 改为 HBM3E 产线

IT之家9月12日消息，韩媒TheElec当地时间本月4日报道称，SK海力士未来将在HBM领域采取质量优先的整体策略，专注于尖端HBM内存的开发与量产，而传统HBM产品则将被逐步淘汰。在三星电子计划把HBM内存的组装检测工艺外包给控股子公司STeco的同时，SK海力士仍计划自行内部解决HBM生产的全部工序，在进一步提升HBM内存产能上较为保守。▲ SK海力士利川厂区不过SK海力士仍计划将

2024-09-12 18:18

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双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存

IT之家9月6日消息，据《韩国经济日报》报道，台积电生态系统与联盟管理处处长DanKochpatcharin昨日在台北出席行业活动时表示正同三星电子合作开发无缓冲HBM4内存。这也是三星电子与台积电这对在先进制程与封装领域存在竞争关系的半导体企业首度公开双方在HBM内存领域的合作关系。IT之家从韩媒报道获悉，“无缓冲HBM4内存”属于HBM4的一种特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器

2024-09-06 17:06

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三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E

IT之家9月5日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子DS部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。根据DDR内存路线图，三星计划在2024年内推出1cnm制程DDR内存，该节点可提供32Gb颗粒容量产品；而在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺1dnm，仍最大提供32Gb容量。▲图源《韩国先驱报》，下同来到2027年，三星将突入10nm以下级

2024-09-05 18:48

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三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方

IT之家9月4日消息，据台媒MoneyDJ理财网报道，三星电子设备解决方案部存储器业务总裁兼总经理李祯培今日在台北出席行业活动时表示三星将在定制HBM内存上给予客户充分灵活自主。李祯培在其题为“内存技术创新跃进未来”的主题演讲中提到，在AI时代内存面临能耗、带宽与容量三大挑战，三星电子将准备搭载创新技术的多样化新品，瞄准AI设备及边缘应用。对HBM而言，打破现有速度与能耗瓶颈的一个可能途径是为内存

2024-09-04 18:18

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SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术

IT之家9月4日消息，据台媒TechNews报道，SK海力士资深副总裁兼封装开发副社长李康旭（LeeKang-wook）昨日在异质整合国际高峰论坛上表示，HBM内存的“客制化”关键在于基础裸片。李康旭表示，标准HBM内存和客户定制HBM内存采用同种DRAM裸片，但BaseDie基础裸片存在差异。定制HBM内存的基础裸片中将包含客户选择的电路IP，预计还可提升芯片效率。SK海力士自HBM4世代起采用

2024-09-04 16:36

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SK 海力士副总裁：存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术

IT之家8月27日消息，综合韩媒TheElec和ZDNetKorea报道，SK海力士副总裁（也称常务）文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称，Chiplet芯粒/小芯片技术将在2~3年后应用于DRAM和NAND产品。并非所有存储产品控制器功能都需要使用先进工艺，采用Chiplet设计可将对工艺要求较低的功能模块剥离到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影响功能实现的同时大幅降低成本。SK海力士正在内部开发

2024-08-27 15:18

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积极扩产 HBM 内存与先进封装，消息称美光有意购入友达闲置工厂

IT之家8月26日消息，台媒《经济日报》报道称，美光正在台湾地区积极寻觅场地以扩充HBM内存与先进封装产能。在与台积电竞购群创南科四厂失败后，美光又看上了另一显示企业友达的闲置厂房。具体来说，美光有意购入友达位于台南科技工业区的C5D和C6C两座彩色滤光片厂。这两座工厂已于2023年8月停产歇业，对外出售不会影响到友达的运营。▲友达台南科技工业区厂区，目前仍有C4A工厂在运营美光、台积电纷纷看上显

2024-08-26 14:42

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SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向

IT之家8月20日消息，据韩媒MK报道，SK海力士负责HBM内存业务的副总裁RyuSeong-soo当地时间昨日在SK集团2024年度利川论坛上表示，M7科技巨头都表达了希望SK海力士为其开发定制HBM产品的意向。IT之家注：M7即Magnificent7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及Meta。RyuSeong-soo提到其在周末仍不断工作，与

2024-08-20 14:21

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SK 海力士已向谷歌 Waymo 独家供应车规级 HBM2E 内存

感谢IT之家网友HH_KK的线索投递！IT之家8月15日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，SK海力士副总裁 KangWook-Sung昨日表示，该企业已向谷歌母公司Alphabet旗下自动驾驶企业Waymo独家供应车规级HBM2E内存。SK海力士是目前唯一一家可供应符合AEC-Q车规认证HBM芯片的企业。IT之家了解到，SK海力士的车规级HBM2E产品容量达8GB，速率达3.2Gbp

2024-08-15 15:18

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NEO Semiconductor 发布 HBM 内存技术 3D X-AI ，宣称 AI 处理能力可达现有方案百倍

IT之家8月6日消息，NEOSemiconductor当地时间本月5日发布了3DX-AI芯片技术，宣称该技术可实现目前HBM内存方案百倍的AI处理能力，同时功耗也可降低99%。IT之家注意到，3DX-AI可理解为两项技术的结合：其采用3DDRAM技术构建HBM内存的DRAMDie，以实现更高容量；同时在DRAMDie中引入本地处理器，类似于此前提出的PIM概念。在前一项技术上，单个3DX-AI芯片

2024-08-06 16:27

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三星计划 2024Q3 量产 8 层 HBM3E 产品，其份额 Q4 将达到 60%

感谢IT之家网友Hi_World、华南吴彦祖的线索投递！IT之家8月1日消息，韩媒BusinessKorea昨日（7月31日）报道，在2024年第2季度财报电话会议上，三星公司高管公布：“第五代8层HBM3E产品目前已交付客户评估，计划2024年第3季度开始量产”。三星负责人表示：我们已经准备好量产半导体行业领先的12层HBM3E芯片，我们将根据多家客户的需求计划，在今年下半年扩大供应。HBM3E

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2024-08-01 12:45

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TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

IT之家7月22日消息，TrendForce集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在HBM和QLC崛起的带动下，2024年DRAM内存和NAND闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。具体而言，DRAM内存产业的营收将达907亿美元（IT之家备注：当前约6602.49亿元人民币），环比增长75%；而NAND闪存产业的营收将达674亿美元（当前约4906.37亿元人民币），环比增长77%。展望2025年，

2024-07-22 17:27

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消息称 SK 海力士进军 2.5D 先进封装硅中介层，提升 HBM 内存整体竞争力

IT之家7月17日消息，韩媒MoneyToday报道称，SK海力士与OSAT（半导体封装与测试外包）巨头Amkor进行了硅中介层（IT之家注：SiInterposer）合作的协商。SK海力士将向Amkor一并供应HBM内存和2.5D封装用硅中介层，Amkor则负责利用硅中介层实现客户逻辑芯片与SK海力士HBM内存的集成。SK海力士官方人士向韩媒回应称：“（谈判）目前仍处于早期阶段。我们正在进行各种

2024-07-17 13:45

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三星被曝 2024Q3 向英伟达出货 HBM3e 芯片，转移 20-30% 产能将推高 DDR5 内存售价

IT之家7月16日消息，三星本月初否认了HBM3e内存芯片通过英伟达认证测试的消息，不过集邦咨询最新消息称三星供应链已经转动起来，有望今年第3季度开始向英伟达出货。IT之家援引该报道，在三星的规划中，至少转移20-30%的产能到HBM上，因此可能导致DRAM供应进一步紧张，第三季度的DDR5价格可能会上涨。该媒体报道称三星已通知部分供应链合作伙伴，要求其尽快下单并储备产能，这表明这家内存巨头的HB

2024-07-16 11:39

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消息称美光 6 月遭遇 HBM3E 内存封装缺陷，影响向英伟达 H200 供货

IT之家7月12日消息，韩媒ZDNetKorea报道指，美光的HBM3E内存在上(6)月遭遇封装缺陷，引起发热问题，影响了量产进程。美光于2024年2月26日宣布量产基于1β工艺的HBM3E内存，并从二季度开始向英伟达供货，用于H200AIGPU。此外据台媒《工商时报》消息，英伟达H200芯片于二季度下旬进入量产阶段，预计三季度开始大规模交付。韩媒表示，由于问题出现在2.5D封装层面而非HBM产品

2024-07-12 18:51

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