IT之家3月14日消息，IT之家从西安邮电大学官网获悉，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接

IT之家2月27日消息，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据介绍，氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧

IT之家12月12日消息，据中国科大发布，第68届IEEEInternationalElectronDevicesMeeting(IEDM,国际电子器件大会)近期在美国旧金山召开。IEEEIEDM是年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性

感谢IT之家网友鸽以咏志的线索投递！IT之家12月9日消息，北京铭镓半导体有限公司近期使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。据晶片测试分析，其结晶质量和加工技术也保持在产品级标准。劳厄测试衍射斑点清晰、对称，说明晶

集微网消息，近日，在首席科学家杨德仁院士的带领下，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆，目前已经成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆。浙大杭州科创中心消息显示，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属

感谢IT之家网友刺客的线索投递！IT之家4月25日消息，据日经新闻报道，该国东北大学吉川彰教授与初创企业合作，研发新一代半导体材料-氧化镓的新制造技术，成本约为传统方法的百分之一。传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶。要制造直径约15厘米的实用性结晶，仅容器就需要3000万～5000万日元（约253万元人民币），还存在结晶的质量不够稳定等课题。据称由于不需要昂贵的容器等原

IT之家6月16日消息 如今市面上许多智能手机、电脑充电器均采用了GaN氮化镓功率芯片，实现了高功率密度，大幅减小产品体积。根据日经中文网消息，日本企业NovelCrystalTechnology近日成功量产新一代功率半导体材料“氧化镓”制成的100mm晶圆。这家公司由电子零部件企业田村制作所和AGC出资成立，该产品将在年内量产供应客户。这家公司仅供应100mm晶圆，购买者需要利用自家的