感谢IT之家网友HH_KK的线索投递！IT之家11月8日消息，韩媒ZDNETKorea昨日报道称，三星电子内部已于三季度决定调整平泽P4制造综合体一期（Phase1）的产能分配，从纯NAND调整为NAND+DRAM。这也可从该生产线的内部代号名称更改中看出来：该产线原名P4F，尾部的F即指Flash闪存；而现名是P4H，H是Hybrid的简写，显示产线不只支持一个大类的半导体工艺。▲三星平泽园区平

IT之家11月6日消息，TrendForce今日发布最新研报，称DRAM产业经过了2024年前三季度的去库存化和价格回升，预计第四季度的涨价势头将有所减弱。由于部分厂商在今年尝到甜头后已经展开新的扩产计划，TrendForce 预估2025年整体DRAM产业（IT之家注：按Bit出货量计算）将同比增长25%，增长幅度较2024年更大。TrendForce表示，DRAM市场结构日趋复杂，除

IT之家10月29日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代V-NAND堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的0anmDRAM则将采用VCT结构。三星目前最先进的NAND和DRAM工艺分别为第9代V-NAND和1bnm（12纳米级）DRAM。报道表示三星第10代（即下代）V-NAND将被命名为BV（BondingVerti

IT之家10月24日消息，据本月21日铠侠、南亚科技新闻稿，两家存储企业关于新型极低漏电流内存的联合研究论文将于今年12月7~11日在美国加州旧金山举行的2024IEEEIEDM 国际电子器件大会上发表。根据活动介绍，铠侠、南亚科技将在当地时间12月9日介绍全球首款4F2GAA氧化物半导体（Oxide-semiconductor）通道晶体管DRAM——OCTRAM。OCTRAM应属于一种

IT之家10月22日消息，韩媒ZDNETKorea当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出1cnm（第6代10nm级）DRAM内存GoodDie良品晶粒，公司内部对此给予积极评价。不过三星的1cnmDRAM量产开发尚需一段时日，首批产品良率不足一成。产能方面，三星电子计划在今年底前建成第一条1cnmDRAM内存量产线。▲三星电子HBM内存参考IT之家以往报道，三星电子下代HBM内存HBM4预计将

IT之家10月17日消息，据韩媒ZDNETKorea当地时间15日报道，三星电子HBM3E产品迟迟未能完整通过最大需方英伟达认证并开始供货是因为受到该内存的基础14nm级DRAM的拖累。报道提到三星电子的36GB容量HBM3E12H内存可能直到2025年第2~3季度才能启动供应。▲基于三星12nm级DDR5DRAM的服务器内存条三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级（IT之家注：即1anm

IT之家10月12日消息，根据TrendForce最新调查报告，2024年第三季度之前，消费型产品终端需求依然疲软，主要需求靠AI服务器支撑。然而，近期虽有服务器OEM维持拉货动能，但智能手机品牌仍在观望，而且PC端的LunarLake机种新机尚未上市，消费者同样在观望。TrendForce预估第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价估计上涨8~13%。IT之家

IT之家9月29日消息，台媒《工商时报》昨日报道称，全球第一大内存模组企业金士顿针对部分产品启动降价，以提升销售流量，缓解消费电子“旺季不旺”带来的运营压力。报道表示金士顿此轮降价产品以中低端为主且规模有限，这样看来本次价格调整可能是因为金士顿此前中低端产品备货较多，在对库存进行一定程度清理的同时也能提升产品的价格竞争力。IT之家获悉，三季度本是消费电子的传统旺季，但今年整体消费者需求偏低，且截至

IT之家9月5日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子DS部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。根据DDR内存路线图，三星计划在2024年内推出1cnm制程DDR内存，该节点可提供32Gb颗粒容量产品；而在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺1dnm，仍最大提供32Gb容量。▲图源《韩国先驱报》，下同来到2027年，三星将突入10nm以下级

IT之家9月5日消息，台湾地区DRAM内存企业南亚科技本月3日公布今年8月合并营收28.02亿新台币（IT之家备注：当前约6.2亿元人民币），环比增长2.07%、同比增长8.83%。该企业2024年一到八月累计合并营收为249.72亿新台币（当前约55.27亿元人民币），较去年同期增加35.24%。据台媒《MoneyDJ理财网》《工商时报》报道，南亚科技预计其全年DRAM位元出货量将实现超20%的

IT之家9月4日消息，据韩媒ZDNETKorea报道，三星电子MX部门8月向DS部门表达了对面向 GalaxyS25系列手机的1bnm （IT之家注：即12nm级）LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子于2023年5月启动1bnm工艺16GbDDR5内存量产，后又在当年9月发布1bnm32GbDDR5，并一直在内部推进1bnmLPDDR移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前

IT之家9月3日消息，韩媒etnews当地时间昨日报道称，三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧AI提供动力。综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LPWideI/O内存，SK海力士则将这方面技术称为

IT之家8月29日消息，SK海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代10纳米级（1cnm）DDR5DRAM内存的同时，也表示1cnm工艺将用于多款其它DRAM内存产品。SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示：1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领

IT之家8月29日消息，TrendForce集邦咨询今日表示消费电子需求未如预期回温，以消费产品为主的存储器现货价格今年二季度环比下跌超三成，预计下半年存储器价格将面临压力。报告表示，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM内存库存，到2024年二季度库存已达11~17周。但智能手机整机库存过高，笔电市场也因AIPC兴起而需求延后，导致存储器现货价格开始走弱，这一情况也将传导到合约价上

IT之家8月29日消息，SK海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年

IT之家8月26日消息，据英飞凌官网新闻稿，该企业当地时间本月22日同奇梦达（Qimonda）破产管理人达成和解协议，将支付7.535亿欧元（IT之家备注：当前约59.96亿元人民币）的赔偿。奇梦达原是英飞凌的内存产品部门，于2006年从英飞凌拆分出来。奇梦达曾一度成为全球第二大DRAM供应商，也是内存领域率先投资12英寸晶圆的企业。不过由于DRAM供过于求、技术路线等原因，奇梦达在2009年1月

IT之家8月15日消息，据TrendForce集邦咨询今日研报，全球DRAM内存产业2024年第二季实现229.01亿美元（IT之家备注：当前约1635.91亿元人民币）营收，环比出现24.8%增长。查询集邦咨询以往报告，DRAM产业2023年第二季营收为114.28亿美元。这也就意味着全球DRAM内存产业在上一季度实现了100.4%的同比增幅。集邦咨询表示， DRAM内存产业2024年

IT之家8月15日消息，据台湾地区DRAM内存企业南亚科技官网14日动态，该公司初步估计因本月13日的停电事件遭受3亿~5亿新台币（IT之家备注：当前约6636.1万~1.11亿元人民币）的损失，具体数字尚待后续确认。台湾地区北部8月13日遭遇雷雨天气，台电公司旗下161kV输电线路于当日13:15出现跳脱，导致回龙配电变电所全所停电，影响新北市新庄区、树林区及桃园市龟山区电力供应。据南亚科技新闻

IT之家8月14日消息，综合韩媒《首尔经济日报》（上月29日）《朝鲜日报》（本月13日）报道，SK海力士已向上游设备企业订购关键设备，目标提升M16晶圆厂的HBM和通用DRAM内存产能。IT之家注：SK海力士M16晶圆厂位于韩国京畿道利川市，目前拥有每月约10万片12英寸晶圆的DRAM产能。▲ SK海力士利川园区两家韩媒对具体扩产幅度的报道略有差异：《首尔经济日报》认为是至少每月7万片晶

IT之家8月12日消息，韩媒ETNews报道称，三星电子内部已确认在平泽P4工厂建设1cnmDRAM内存产线的投资计划，该产线目标明年6月投入运营。平泽P4是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为NAND闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为DRAM内存。三星已在P4一期导入DRAM生产设备，但搁置了二期建设。而1cnmDRAM是第六代20~10nm级内存工艺，各家的1cnm（或对应