感谢IT之家网友風見暉一的线索投递！IT之家7月21日消息，继消息称三星有望今年第3季度开始向英伟达出货后，韩媒sedaily报道三星开始已在华城17号产线量产并向英伟达供应HBM3内存。此外，为弥补HBM供应造成的通用DRAM内存供应短缺，平泽P4工厂转为DRAM专用生产线。IT之家此前报道，三星平泽P4工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称NAND闪存产线也没有进一步投资的计划。业内人士称：目前，P

IT之家1月28日消息，SK海力士此前率先推出了HBM3高带宽内存芯片，其采用多层堆叠方式，使用TSV硅通孔工艺制造，单片容量可达24GB，最高带宽可达896GB/s。JEDEC组织今日公布了HBM3内存标准，规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性。这一代内存相比HBM2，带宽增加了一倍。独立通道的数量从8个增加至16个，再加上虚拟通道，使得每个芯片支持32通道。芯片可以采用4层、9层、12层

IT之家1月19日消息，根据外媒VideoCardz消息，SK海力士在一份文件中透露，将在 ISSCC2022（IEEE国际固态电路大会）发布两款全新的DRAM芯片，其中包含12层堆叠的HBM3高速内存，以及速度更块的GDDR6芯片。SK海力士于2021年首次推出了12层HBM3内存，速度达到了820GB/s，而新产品的速度将进一步提升，达到896GB/s。SK海力士这款HBM3内存芯片

IT之家10月20日消息，今日韩国SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3DRAM内存芯片。该产品可以与CPU、GPU核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。目前HBMDRAM已经发展到了第四代，HBM3进一步提升了单片容量以及带宽。海力士表示，2020年7月便开始量产HBM2E内存，为全球首批量产这种芯片的企业。SK海力士最新的HBM3芯片，单片最大容量

IT之家10月10日消息根据外媒techpowerup报道，美国公司Synopsys（新思）于10月9日宣布推出业界首个完整的HBM3IP内存芯片设计方案。这项技术是HBM2e的升级版，可以满足高性能计算设备、计算加速卡等产品的高带宽需求，采用多层芯片封装的工艺。HBM内存通常封装在GPU芯片旁，相比传统显存芯片速率大幅提升，HBM3可以实现高达921GB/s的内存带宽。据IT之家了解，新思科技是

8月25日报道，今天，美国内存IP厂商Rambus宣布推出HBM3内存接口子系统，其传输速率达8.4Gbps，可以为人工智能/机器学习（AI/ML）和高性能计算（HPC）等应用提供TB级带宽，是当前速率最快的HBM产品。预计2022年末或2023年初，RambusHBM3将会流片，实际应用于数据中心、AI、HPC等领域。芯东西等媒体与Rambus大中华区总经理苏雷、RambusIP核产品营销高级总