IT之家11月21日消息，SK海力士刚刚宣布开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，与TB太字节不同）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存。据介绍，此321层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过30
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消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
IT之家10月29日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代V-NAND堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的0anmDRAM则将采用VCT结构。三星目前最先进的NAND和DRAM工艺分别为第9代V-NAND和1bnm（12纳米级）DRAM。报道表示三星第10代（即下代）V-NAND将被命名为BV（BondingVerti111 0 2024-10-29 14:48
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消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO：投资者欲大致砍半到 8 千亿日元
IT之家10月14日消息，据路透社日本当地时间11日报道，铠侠原定本月进行IPO的计划被取消，是因为铠侠大股东贝恩资本与外部投资者间对这家NAND闪存与固态硬盘巨头的估值存在巨大差异。参考IT之家此前报道，贝恩资本对铠侠的估值大致为1.5万亿日元（IT之家备注：当前约712.05亿元人民币），这一目标高于今年截至目前为止任意一家在日IPO企业，但投资者的整体看法却仅有该数值的约一半，即8000亿日78 0 2024-10-14 09:18
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QLC 企业级固态硬盘销售旺盛，消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资
IT之家9月9日消息，《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称，由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好，SK海力士旗下 Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG（IT之家注：浮动栅极，Floating Gate）NAND闪存工艺，并获得新的设备投资。Solidigm 大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士，目前主要生产192层FG结构109 0 2024-09-09 18:06
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TrendForce：今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓，AI SSD 推动营收环比增长 14%
IT之家9月9日消息，TrendForce集邦咨询今天下午发布报告指出，由于服务器终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，今年第二季度NANDFlash（闪存）价格持续上涨。但由于PC和智能手机厂商库存偏高，导致Q2NANDFlash位元出货量环比下降1%，平均销售单价上涨了15%，总营收达167.96亿美元（IT之家备注：当前约1193.37亿元人民币），较前一季实现环比增长14104 0 2024-09-09 15:06
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TrendForce：消费电子需求恢复缓慢，预计下半年存储器价格将面临压力
IT之家8月29日消息，TrendForce集邦咨询今日表示消费电子需求未如预期回温，以消费产品为主的存储器现货价格今年二季度环比下跌超三成，预计下半年存储器价格将面临压力。报告表示，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM内存库存，到2024年二季度库存已达11~17周。但智能手机整机库存过高，笔电市场也因AIPC兴起而需求延后，导致存储器现货价格开始走弱，这一情况也将传导到合约价上111 0 2024-08-29 15:48
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SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存，基于 V9 TLC NAND 颗粒
IT之家8月9日消息，根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品，其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网，目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度，预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲ JEDECUFS规范页面SK海98 0 2024-08-09 09:45
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铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工，2025 年秋季投入运营
IT之家8月1日消息，铠侠宣布其日本岩手县北上市工厂的K2制造大楼（Fab2）已于7月建设完工，计划2025年秋季投入运营。▲实地图。左侧为K2，右侧为K1铠侠于2022年3月开始建设K2大楼，当时预计这一工厂可于2023年内完工。不过在建设过程中，整体NAND闪存行业遭遇了一段漫长的低谷期，K2的建设进度也随之放缓。▲2022年版K2概念图铠侠计划将日本政府提供的2429亿日元（IT之家备注：当112 0 2024-08-01 18:15
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪
IT之家8月1日消息，韩媒ETNews报道称，SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发，计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产。SK海力士此前在2023年展示了321层堆叠NAND闪存的样品，并称这一颗粒计划于2025上半年实现量产。▲SK海力士321层NAND闪存按照韩媒的说法，SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年，明显短于业界平均水平89 0 2024-08-01 09:12
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苹果迎接 AI 浪潮，酝酿为 iPhone 改用 QLC NAND：存储上限至 2TB
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家7月25日消息，集邦咨询于7月22日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用QLCNAND闪存，最早2026年用于iPhone产品中，让其存储上限达到2TB。QLC和TLCTLC的全称是TripleLevelCell（三层单元），进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。TLCNAND的成本甚至低于MLCNAND，使其成为消费电子产品和主流SSD的有吸96 0 2024-07-25 07:54
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TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
IT之家7月22日消息，TrendForce集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在HBM和QLC崛起的带动下，2024年DRAM内存和NAND闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。具体而言，DRAM内存产业的营收将达907亿美元（IT之家备注：当前约6602.49亿元人民币），环比增长75%；而NAND闪存产业的营收将达674亿美元（当前约4906.37亿元人民币），环比增长77%。展望2025年，129 0 2024-07-22 17:27
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消息称铠侠将于 7 月内启动 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 闪存量产
IT之家7月4日消息，《日经新闻》报道称，铠侠将于本(7)月内在日本三重县四日市工厂启动1Tb版BiCS83DNAND闪存的量产。▲ 铠侠四日市晶圆厂内部。图源铠侠官网由铠侠和西部数据联合研发的BiCS8闪存于2023年3月发布，其堆叠层数达到218层，引入了CBA(CMOSdirectlyBondedtoArray)外围电路直接键合到存储阵列技术。这一设计将外围短路和单元存储阵列划分在116 0 2024-07-04 11:21
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业内最高容量，铠侠 2Tb QLC 闪存样品出货：位密度较第五代提高 2.3 倍
IT之家7月3日消息，铠侠（Kioxia）公司今天发布新闻稿，2TbQuad-Level-Cell（QLC）存储样品已经开始出货。2TbQLC存储产品采用第八代BiCSFLASH 3D闪存技术，器件拥有业内最高容量，有望推动包括AI在内多个应用领域的增长。IT之家援引官方新闻稿，铠侠表示相比较铠侠目前的第五代QLC器件，最新推出的2TbQLC位密度提高了约2.3倍，写入能效提高了约70%115 0 2024-07-03 11:36
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业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产
IT之家7月3日消息，国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产512Mb高可靠性工业级2DNAND闪存芯片。512Mb的容量使得这款2DNAND闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据，为此后的系统代码升级留有足够空间。至讯创新表示，这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时，对芯片尺寸做了全面优化，实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸，“性价比优势凸显”。▲ 至讯创新工业级SL116 0 2024-07-03 10:45
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三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术
IT之家7月3日消息，根据韩媒TheElec报道，三星在其第9代V-NAND的“金属布线”（metalwiring）中首次尝试使用钼（Mo）。IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU等），可以说是“为半导体注入了生命”。消息人士称三星公司已从Lam110 0 2024-07-03 10:06
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TrendForce：预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%
IT之家6月28日消息，TrendForce集邦咨询今日发布最新研报，预估三季度NAND闪存产品合约价的整体涨幅从二季度的15~20%收窄至5~10%。集邦咨询表示，下半年几大原厂积极增产；企业级固态硬盘受惠于服务器订单回升，需求稳定增长，但消费电子领域需求持续不振，导致NAND供过于求更为明显，这也是涨幅减少的主因。▲图源TrendForce集邦咨询IT之家按类别整理TrendForce集邦咨询110 0 2024-06-28 19:06
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消息称三星 DRAM 及 NAND 计划 Q3 涨价 15-20%
IT之家6月26日消息，由于人工智能（AI）需求激增，存储半导体方面竞争进一步加剧，预计三星电子下半年业绩将有所改善。据韩国《每日经济新闻》，三星电子近期已向包括戴尔科技、慧与HPE在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15-20%，而三星Q2已将其企业级NAND闪存涨价20%以上。三星电子负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）126 0 2024-06-26 17:51
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消息称铠侠结束 NAND 闪存减产，现有工厂开工率均已恢复至 100%
IT之家6月17日消息，据日经亚洲报道，铠侠已于本月将其位于日本三重县四日市和岩手县北上市的两座现有NAND闪存工厂的生产线开工率提升至100%。这也意味着，铠侠结束了从2022年10月开始连续20个月的减产，其NAND闪存生产实现正常化。不过铠侠仍未启动北上市新晶圆厂运营，该新晶圆厂原定于2023年投产。铠侠此次结束减产的背景是NAND闪存行业已逐渐从此前的低谷中走出，整体呈现复苏态势。这主要源140 0 2024-06-17 11:06
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Omdia：2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%，为去年 3.6 倍
IT之家6月14日消息，韩媒Sedaily转述市场分析机构Omdia的话称，2027年QLC市场规模将占到整体NAND闪存的46.4%，仅略低于TLC的51%。作为对比，Omdia认为2023年QLC闪存市场份额占比仅有12.9%，今年这一比例将大幅增至20.7%。换句话说，未来三年QLC在NAND市场整体中的占比将在今年的基础上继续提升1.24倍，达2023年的3.6倍。在2023年及以前，QL123 0 2024-06-14 15:48
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业界最高密度，西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片
IT之家6月14日消息，西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8（218层）QLCNAND芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片2Tb意味着西数可通过16层堆叠提供4TB容量颗粒，为未来128TB乃至256TB量级企146 0 2024-06-14 09:24
