Echo

Echo 关注TA

大家好,我是Echo!

Echo

Echo

关注TA

大家好,我是Echo!

  •  普罗旺斯
  • 自由职业
  • 写了309,511,644字

标签 > 标签文章:#sk海力士# (共有178文章)

  • 122TB 全球最大容量,SK 海力士旗下 Solidigm 推出 AI 用 eSSD D5-P5336

    122TB 全球最大容量,SK 海力士旗下 Solidigm 推出 AI 用 eSSD D5-P5336
    IT之家11月13日消息,SK海力士NAND闪存解决方案子公司Solidigm今日宣布,推出现有最大的122TB容量NAND闪存解决方案,并基于QLC*的eSSD(IT之家注:企业级固态硬盘)新产品“D5-P5336”。据介绍,D5-P5336“全球首次”具备可随机写入长达五年的耐用性,适用于数据密集型的AI工作。Solidigm技术人员确认,如果客户使用该产品构建NAS,与现有的HDD、SSD混

     57    0    2024-11-13 22:30

  • SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存,明年初出样

    SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存,明年初出样
    感谢IT之家网友乌蝇哥的左手、HH_KK、西窗旧事的线索投递!IT之家11月4日消息,SK海力士CEO郭鲁正今日在韩国首尔举行的SKAISummit2024上介绍了全球首款16-HighHBM3E内存。该产品可实现48GB的单堆栈容量,预计明年初出样。虽然一般认为16层堆叠HBM内存直到下一世代HBM4才会正式商用,但参考内存领域IP企业Rambus的文章,HBM3E也有扩展到16层的潜力。此外I

     64    0    2024-11-04 16:06

  • 英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片

    英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片
    IT之家11月4日消息,据路透社今日报道,韩国SK集团会长崔泰源表示,英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品,而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录,宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。今年7月,有消息称英伟达、台积电和S

     69    0    2024-11-04 11:42

  • SK 海力士发布 2024 财年第 3 季度财报:营收 17.57 万亿韩元、同比增长 94%

    IT之家10月24日消息,SK海力士今天(10月24日)发布2024财年第三季度(截至2024年9月30日)财报,合并收入为17.5731万亿韩元,环比增长7%、同比增长94%。IT之家援引SK海力士官方公布的2024财年第3季度财务报告,附上财务报表如下(单位:亿韩元):2024财年第三季度2024财年第二季度环比(QoQ)2023财年第三季度同比(YoY)营收175,731164,2337%9

     99    0    2024-10-24 08:45

  • 消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模,全力聚焦 HBM 等高利润产品

    消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模,全力聚焦 HBM 等高利润产品
    IT之家10月17日消息,据韩媒ZDNETKorea当地时间昨日报道,SK海力士正缩减CIS(IT之家注:即CMOS图像传感器)等次要业务规模,全力聚焦高利润产品HBM以及CXL内存、PIM、AISSD等新兴增长点。SK海力士今年减少了对CIS业务的研发投资,同时月产能已低于7000片12英寸晶圆,不足去年一半水平。而这背后是2023年CIS市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据3/4市场份额,SK海

     85    0    2024-10-17 15:03

  • SK 海力士宣布全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片,实现 36GB 最大容量

    SK 海力士宣布全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片,实现 36GB 最大容量
    IT之家9月26日消息,SK海力士今日宣布,公司全球率先开始量产12层HBM3E芯片,实现了现有HBM产品中最大的36GB容量;公司将在年内向客户提供此次产品。首次消息影响,SK海力士股价在韩国涨超8%,市值超过120.34万亿韩元(IT之家备注:当前约6351.55亿元人民币)。据介绍,SK海力士还堆叠12颗3GBDRAM芯片,实现与现有的8层产品相同的厚度,同时容量提升50%。为此,公司将单个

     88    0    2024-09-26 08:18

  • SK 海力士 CXL 优化软件兼容 Linux,计划年底量产 96\128 GB CXL 2.0 内存模组

    SK 海力士 CXL 优化软件兼容 Linux,计划年底量产 96\128 GB CXL 2.0 内存模组
    IT之家9月24日消息,SK海力士昨日宣布其已成功将用于优化CXL内存运行的自研软件HMSDK(IT之家注:异构存储器软件开发套件)主要功能在Linux操作系统上运行。该软件可根据传统内存与CXL内存的差异灵活分配存储资源。SK海力士宣称,即使不调整现有应用程序,HMSDK也可提高至少 30%内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能,可将高频使用数据迁移至快速内存,从而提

     99    0    2024-09-24 18:30

  • 消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产,利川 M10F 改为 HBM3E 产线

    消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产,利川 M10F 改为 HBM3E 产线
    IT之家9月12日消息,韩媒TheElec当地时间本月4日报道称,SK海力士未来将在HBM领域采取质量优先的整体策略,专注于尖端HBM内存的开发与量产,而传统HBM产品则将被逐步淘汰。在三星电子计划把HBM内存的组装检测工艺外包给控股子公司STeco的同时,SK海力士仍计划自行内部解决HBM生产的全部工序,在进一步提升HBM内存产能上较为保守。▲ SK海力士利川厂区不过SK海力士仍计划将

     121    0    2024-09-12 18:18

  • SK 海力士公布 PCIe 5.0 企业级固态硬盘 PEB110 E1.S 性能,预告 PCIe 6.0 产品

    SK 海力士公布 PCIe 5.0 企业级固态硬盘 PEB110 E1.S 性能,预告 PCIe 6.0 产品
    IT之家9月12日消息,SK海力士昨日宣布成功开发适用于数据中心的PEB110E1.S高性能企业级固态硬盘,并表示其基于238层V8NAND闪存、支持PCIe5.0、兼容OCP2.5、可提供2/4/8TB三种容量版本。而SK海力士在油管平台的宣传片中介绍了PEB110 固态硬盘8TB容量版本的具体性能参数与能效表现:在顺序读写操作速率方面, PEB1108TB可实现13850M

     117    0    2024-09-12 09:36

  • SK 海力士韩国利川、清州工厂生产岗员工工会否决涨薪 5.7% 临时协议

    SK 海力士韩国利川、清州工厂生产岗员工工会否决涨薪 5.7% 临时协议
    IT之家9月11日消息,据韩媒ZDNetKorea报道,SK海力士韩国本土两大生产基地利川、清州工厂的生产岗员工工会当地时间昨日投票否决了SK海力士劳资双方6日达成的2024年涨薪5.7%并提升医疗福利待遇的临时协议。SK海力士内部除隶属韩国职工会联盟KCTU的生产岗员工工会还包括文职白领类别的工会,SK海力士此前达成的2024年临时劳资协议同时适用于生产岗与文职岗。▲ SK海力士利川生

     95    0    2024-09-11 15:45

  • SK 海力士面向数据中心发布 PEB110 SSD:传输速度 32 GT/s、最高 8TB,较前代性能翻倍、能效提升 30%,首次部署 SPDM

    SK 海力士面向数据中心发布 PEB110 SSD:传输速度 32 GT/s、最高 8TB,较前代性能翻倍、能效提升 30%,首次部署 SPDM
    IT之家9月11日消息,SK海力士(SKhynix)昨日(9月10日)发布新闻稿,宣布成功开发适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110E1.S(以下简称PEB110)。PEB110简介PEB110采用第五代PCIe,带宽比现有第四代(Gen4)高一倍,数据传输速度达到了32GT/s(千兆传输/秒),由此性能较上一代产品提高1倍,能效提升30%以上。SK海力士针对该产品开发出了三种容量版本:2TB

     122    0    2024-09-11 08:33

  • QLC 企业级固态硬盘销售旺盛,消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资

    QLC 企业级固态硬盘销售旺盛,消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资
    IT之家9月9日消息,《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称,由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好,SK海力士旗下 Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG(IT之家注:浮动栅极,Floating Gate)NAND闪存工艺,并获得新的设备投资。Solidigm 大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士,目前主要生产192层FG结构

     109    0    2024-09-09 18:06

  • SK 海力士:HBM 内存基础裸片支持定制,SSD 主控也将导入芯粒技术

    SK 海力士:HBM 内存基础裸片支持定制,SSD 主控也将导入芯粒技术
    IT之家9月4日消息,据台媒TechNews报道,SK海力士资深副总裁兼封装开发副社长李康旭(LeeKang-wook)昨日在异质整合国际高峰论坛上表示,HBM内存的“客制化”关键在于基础裸片。李康旭表示,标准HBM内存和客户定制HBM内存采用同种DRAM裸片,但BaseDie基础裸片存在差异。定制HBM内存的基础裸片中将包含客户选择的电路IP,预计还可提升芯片效率。SK海力士自HBM4世代起采用

     114    0    2024-09-04 16:36

  • 消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化

    消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
    IT之家9月3日消息,韩媒etnews当地时间昨日报道称,三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,为端侧AI提供动力。综合IT之家此前报道,三星电子的此类产品叫做 LPWideI/O内存,SK海力士则将这方面技术称为

     108    0    2024-09-03 11:33

  • SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品

    SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
    IT之家8月29日消息,SK海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代10纳米级(1cnm)DDR5DRAM内存的同时,也表示1cnm工艺将用于多款其它DRAM内存产品。SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示:1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力,公司将其应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群,由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领

     114    0    2024-08-29 16:27

  • SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM:相比上代速度提升 11%

    SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM:相比上代速度提升 11%
    IT之家8月29日消息,SK海力士今日宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5DRAM。由此,公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调:“随着10纳米级DRAM技术的世代相传,微细工艺的难度也随之加大,但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代(1b)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。公司将在年

     107    0    2024-08-29 08:15

  • SK 海力士副总裁:存储产品在 AI 时代正从简单组件转型为解决方案

    SK 海力士副总裁:存储产品在 AI 时代正从简单组件转型为解决方案
    IT之家8月28日消息,综合韩媒《朝鲜日报》与ZDNETKorea报道,SK海力士系统架构总裁박경(ParkKyung)在韩国当地时间昨日举行的学术研讨会上表示,存储产品在AI时代从简单组件转型为解决方案。박경表示:仅仅拥有DRAM设计技能已经不够了。我们需要从“运营和系统”的角度,而不仅仅是从半导体技术的角度,来审视系统是如何变化的,以及存在哪些机遇和挑战。半导体生态系统过去由供求关系主导,但未

     107    0    2024-08-28 16:51

  • SK 海力士副总裁:存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术

    SK 海力士副总裁:存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术
    IT之家8月27日消息,综合韩媒TheElec和ZDNetKorea报道,SK海力士副总裁(也称常务)文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称,Chiplet芯粒/小芯片技术将在2~3年后应用于DRAM和NAND产品。并非所有存储产品控制器功能都需要使用先进工艺,采用Chiplet设计可将对工艺要求较低的功能模块剥离到成本更低的成熟制程芯粒上,在不影响功能实现的同时大幅降低成本。SK海力士正在内部开发

     102    0    2024-08-27 15:18

  • 仍基于 1b nm DRAM,消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存

    仍基于 1b nm DRAM,消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
    IT之家8月26日消息,韩媒ZDNetKorea报道称,SK海力士将于2024年内先后流片为英伟达和AMD两大客户开发的HBM4内存。消息人士向韩媒表示,SK海力士已为这两家主要HBM内存客户组建了HBM4内存开发团队。英伟达用HBM4将率先于今年10月进行流片,而向AMD供应的HBM4也将在今年底流片。报道还表示,虽然三星电子计划在HBM4内存上直接应用1cnmDRAM以提升能效竞争力,但SK海

     110    0    2024-08-26 19:12

  • SK 海力士:美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向

    SK 海力士:美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向
    IT之家8月20日消息,据韩媒MK报道,SK海力士负责HBM内存业务的副总裁RyuSeong-soo当地时间昨日在SK集团2024年度利川论坛上表示,M7科技巨头都表达了希望SK海力士为其开发定制HBM产品的意向。IT之家注:M7即Magnificent7,指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英伟达、亚马逊以及Meta。RyuSeong-soo提到其在周末仍不断工作,与

     93    0    2024-08-20 14:21