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消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术
IT之家7月29日消息，台媒《电子时报》（DIGITIMES）今日报道称，台积电最快在2028年推出的A14P制程中引入HighNAEUV光刻技术。▲ ASMLEXE:5000HighNAEUV光刻机台积电目前正式公布的最先进制程为A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于2026下半年量产。从目前消息来看，在A16上台积电仍将采用传统的LowNA(0.33NA)EUV光刻机。

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台积电
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2024-07-29 13:21

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设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关
IT之家7月2日消息，韩媒《朝鲜日报》近日表示，ASML预计于2030年左右推出的下一代光刻设备——Hyper(0.75)NAEUV光刻机价格可能会突破一万亿韩元（IT之家备注：当前约52.67亿元人民币）大关。▲ ASML光刻机路线图报道指出，传统的Low(0.33)NAEUV光刻机单台约为2500亿韩元（当前约13.17亿元人民币），目前已开始交付的High(0.55)NAEUV光刻

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台积电
三星电子
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2024-07-02 10:27

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消息称英特尔考虑引入 DSA 技术辅助 High NA EUV 光刻，提升图案质量
IT之家4月19日消息，综合外媒SemiAnalysis和TheElec报道，英特尔考虑在未来的HighNAEUV光刻节点导入定向自组装DSA技术进行辅助。DSA是两项被认为可部分取代传统光刻的新型图案化技术之一（IT之家注：另一项是纳米压印NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性实现图案化，一般被认为适合辅助传统光刻而非独立运用。▲嵌段共聚物分子在诱导下可自动排列成有规律的图案形态。图源德国默克Se

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英特尔
先进制程
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2024-04-19 18:31

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英特尔宣布世界首台商用 High NA EUV 光刻机完成组装，计划明年投入研发使用
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月19日消息，英特尔今日宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的FabD1X研发晶圆厂完成世界首台商用HighNA（0.55NA）EUV光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段。▲图源英特尔新闻稿这台光刻机型号TWINSCANEXE:5000，为ASML的首代HighNAEUV光刻机，价值约3.5亿美元（IT之家备注：当前约25.38亿元人民币）。

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2024-04-19 10:39

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三星研究员悲观看待 EUV 光刻技术寿命，认为 High-NA 方案面临成本问题
IT之家3月8日消息，三星研究员YoungSeogKang在近日举行的SPIE先进光刻+图案化会议的小组讨论中对EUV技术的寿命持有悲观看法，认为High-NA（高数值孔径）路线存在成本问题。Kang表示，作为光刻技术的用户方，其总是最关心整体成本。这位研究员指出，芯片制造商可使用目前运行的0.33NAEUV光刻机搭配多重图案化实现精度的进一步提升，而无需更昂贵的替代方案（IT之家注：即High-
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光刻
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2024-03-08 17:47

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